MOSFET ROHM, canale Tipo P 40 V, 191 mΩ P, 35 A, 3 Pin, TO-252, Superficie RD3G03BATTL1

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Opzioni di confezione:
Codice RS:
223-6277
Codice costruttore:
RD3G03BATTL1
Costruttore:
ROHM
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Marchio

ROHM

Tipo prodotto

MOSFET

Tipo di canale

Tipo P

Massima corrente di scarico continua Id

35A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

40V

Tipo di package

TO-252

Serie

RD3G03BAT

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

3

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

191mΩ

Modalità canale

P

Dissipazione di potenza massima Pd

56W

Minima temperatura operativa

-55°C

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

20 V

Tensione diretta Vf

-1.2V

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

38nC

Temperatura massima di funzionamento

150°C

Standard/Approvazioni

RoHS

Standard automobilistico

No

Il MOSFET di potenza ROHM ha un tipo di contenitore TO-252. È utilizzato principalmente per la commutazione.

Bassa resistenza in stato attivo

Elevata velocità di commutazione

Semplificazione dei circuiti di pilotaggio

Uso facile in parallelo

Placcatura senza piombo, conformità RoHS

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