MOSFET ROHM, canale P, 0,89 Ω, 4 A, DFN2020, Montaggio superficiale

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Codice RS:
223-6290
Codice costruttore:
RF4L040ATTCR
Costruttore:
ROHM
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Marchio

ROHM

Tipo di canale

P

Corrente massima continuativa di drain

4 A

Tensione massima drain source

60 V

Tipo di package

DFN2020

Tipo di montaggio

Montaggio superficiale

Numero pin

8

Resistenza massima drain source

0,89 Ω

Tensione di soglia gate massima

2.5V

Numero di elementi per chip

1

Il MOSFET di potenza ROHM ha un tipo di contenitore DFN2020-8S. È utilizzato principalmente per la commutazione e l'interruttore di distribuzione di carico.

Bassa resistenza in stato attivo

Involucro stampato compatto per alta potenza

Placcatura senza piombo, conformità RoHS

Senza alogeni

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