MOSFET Vishay, canale N, 0,0018 Ω, 602 A, PowerPak 8 x 8L, Montaggio superficiale

Codice RS:: 225-9966
Codice costruttore:: SQJQ160E-T1_GE3
Costruttore:: Vishay

MOSFET Vishay, canale N, 0,0018 Ω, 602 A, PowerPak 8 x 8L, Montaggio superficiale

Prezzo per Unità (Su Bobina da 2000)**

1,531 €

(IVA esclusa)

1,868 €

(IVA inclusa)

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Unità	Per unità	Per bobina**
2000 +	1,531 €	3.062,00 €

**prezzo indicativo

Codice RS:: 225-9966
Codice costruttore:: SQJQ160E-T1_GE3
Costruttore:: Vishay

Datasheet - SQJQ160E-T1_GE3

Attributo	Valore
Tipo di canale	N
Corrente massima continuativa di drain	602 A
Tensione massima drain source	60 V
Tipo di package	PowerPak 8 x 8L
Serie	N-Channel 60 V
Tipo di montaggio	Montaggio superficiale
Numero pin	4
Resistenza massima drain source	0,0018 Ω
Tensione di soglia gate massima	3.5V
Numero di elementi per chip	1

MOSFET Vishay, canale N, 0,0018 Ω, 602 A, PowerPak 8 x 8L, Montaggio superficiale

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