MOSFET Vishay, canale Tipo N 60 V, 1.8 mΩ, 602 A, 4 Pin, PowerPAK (8x8L), Superficie

Visualizza MOSFET

Prezzo per 1 bobina da 2000 unità*

3312,00 €

(IVA esclusa)

4040,00 €

(IVA inclusa)

Add to Basket
Selezionare o digitare la quantità
Temporaneamente esaurito
  • Spedizione a partire dal 03 agosto 2026
Te ne servono di più? Inserisci la nuova quantità e clicca su "Controlla le date di consegna".
Unità
Per unità
Per bobina*
2000 +1,656 €3.312,00 €

*prezzo indicativo

Codice RS:
225-9966
Codice costruttore:
SQJQ160E-T1_GE3
Costruttore:
Vishay
Trova prodotti simili selezionando uno o più attributi.
Seleziona tutto

Marchio

Vishay

Tipo di canale

Tipo N

Tipo prodotto

MOSFET

Massima corrente di scarico continua Id

602A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

60V

Tipo di package

PowerPAK (8x8L)

Serie

N-Channel 60 V

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

4

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

1.8mΩ

Tensione diretta Vf

0.7V

Minima temperatura operativa

-55°C

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

183nC

Dissipazione di potenza massima Pd

600W

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

20 V

Temperatura massima di funzionamento

175°C

Standard/Approvazioni

No

Lunghezza

8.1mm

Larghezza

8 mm

Altezza

1.7mm

Standard automobilistico

AEC-Q101

Vishay Siliconix mantiene i dati di affidabilità per la tecnologia dei semiconduttori e l'affidabilità del contenitore rappresentano un composito di tutte le posizioni qualificate.

Qualifica AEC-Q101

Testato al 100% Rg e UIS

Contenitore sottile da 1,6 mm

Resistenza termica molto bassa

Link consigliati