MOSFET Vishay, canale Tipo N 60 V, 1.8 mΩ, 602 A, 4 Pin, PowerPAK (8x8L), Superficie SQJQ160E-T1_GE3

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Codice RS:
225-9966
Codice costruttore:
SQJQ160E-T1_GE3
Costruttore:
Vishay
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Marchio

Vishay

Tipo di canale

Tipo N

Tipo prodotto

MOSFET

Massima corrente di scarico continua Id

602A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

60V

Serie

N-Channel 60 V

Tipo di package

PowerPAK (8x8L)

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

4

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

1.8mΩ

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

183nC

Minima temperatura operativa

-55°C

Dissipazione di potenza massima Pd

600W

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

20V

Tensione diretta Vf

0.7V

Temperatura massima di funzionamento

175°C

Altezza

1.7mm

Larghezza

8mm

Standard/Approvazioni

No

Lunghezza

8.1mm

Standard automobilistico

AEC-Q101

Vishay Siliconix mantiene i dati di affidabilità per la tecnologia dei semiconduttori e l'affidabilità del contenitore rappresentano un composito di tutte le posizioni qualificate.

Qualifica AEC-Q101

Testato al 100% Rg e UIS

Contenitore sottile da 1,6 mm

Resistenza termica molto bassa

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