MOSFET Vishay, canale N, 0,0075 Ω, 248 A, PowerPak 8 x 8L, Montaggio superficiale
- Codice RS:
- 225-9954
- Codice costruttore:
- SQJ180EP-T1_GE3
- Costruttore:
- Vishay
Prodotto non a stock - in consegna appena disponibile
Prezzo per Unità (Su Bobina da 3000)
0,836 €
(IVA esclusa)
1,02 €
(IVA inclusa)
Unità | Per unità | Per bobina* |
|---|---|---|
| 3000 + | 0,836 € | 2.508,00 € |
*prezzo indicativo
- Codice RS:
- 225-9954
- Codice costruttore:
- SQJ180EP-T1_GE3
- Costruttore:
- Vishay
Documentazione Tecnica
Normative
Dettagli prodotto
Vishay Siliconix mantiene i dati di affidabilità per la tecnologia dei semiconduttori e l'affidabilità del contenitore rappresentano un composito di tutte le posizioni qualificate.
Qualifica AEC-Q101
Testato al 100% Rg e UIS
Contenitore sottile da 1,6 mm
Resistenza termica molto bassa
Testato al 100% Rg e UIS
Contenitore sottile da 1,6 mm
Resistenza termica molto bassa
Specifiche
Attributo | Valore |
|---|---|
| Tipo di canale | N |
| Corrente massima continuativa di drain | 248 A |
| Tensione massima drain source | 80 V |
| Tipo di package | PowerPak 8 x 8L |
| Serie | N-Channel 80 V |
| Tipo di montaggio | Montaggio superficiale |
| Numero pin | 4 |
| Resistenza massima drain source | 0,0075 Ω |
| Tensione di soglia gate massima | 3.5V |
| Numero di elementi per chip | 1 |
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