MOSFET Vishay, canale N, 0,0075 Ω, 248 A, PowerPak 8 x 8L, Montaggio superficiale

Codice RS:: 225-9954
Codice costruttore:: SQJ180EP-T1_GE3
Costruttore:: Vishay

MOSFET Vishay, canale N, 0,0075 Ω, 248 A, PowerPak 8 x 8L, Montaggio superficiale

Prezzo per Unità (Su Bobina da 3000)**

0,776 €

(IVA esclusa)

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Unità	Per unità	Per bobina**
3000 +	0,776 €	2.328,00 €

**prezzo indicativo

Codice RS:: 225-9954
Codice costruttore:: SQJ180EP-T1_GE3
Costruttore:: Vishay

Datasheet - SQJ180EP-T1_GE3

Attributo	Valore
Tipo di canale	N
Corrente massima continuativa di drain	248 A
Tensione massima drain source	80 V
Serie	N-Channel 80 V
Tipo di package	PowerPak 8 x 8L
Tipo di montaggio	Montaggio superficiale
Numero pin	4
Resistenza massima drain source	0,0075 Ω
Tensione di soglia gate massima	3.5V
Numero di elementi per chip	1

MOSFET Vishay, canale N, 0,0075 Ω, 248 A, PowerPak 8 x 8L, Montaggio superficiale

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