MOSFET Vishay, canale N 80 V, 7.5 mΩ, 248 A, 4 Pin, PowerPAK (8x8L), Superficie SQJ180EP-T1_GE3

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Codice RS:
225-9954
Codice costruttore:
SQJ180EP-T1_GE3
Costruttore:
Vishay
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Marchio

Vishay

Tipo prodotto

MOSFET

Tipo di canale

N

Massima corrente di scarico continua Id

248A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

80V

Tipo di package

PowerPAK (8x8L)

Serie

N-Channel 80 V

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

4

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

7.5mΩ

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

78nC

Minima temperatura operativa

-55°C

Dissipazione di potenza massima Pd

500W

Tensione diretta Vf

1.1V

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

20V

Temperatura massima di funzionamento

175°C

Standard/Approvazioni

No

Lunghezza

6.15mm

Larghezza

4.9mm

Standard automobilistico

AEC-Q101

Vishay Siliconix mantiene i dati di affidabilità per la tecnologia dei semiconduttori e l'affidabilità del contenitore rappresentano un composito di tutte le posizioni qualificate.

Qualifica AEC-Q101

Testato al 100% Rg e UIS

Contenitore sottile da 1,6 mm

Resistenza termica molto bassa

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