MOSFET Vishay, canale N, 0,0075 Ω, 248 A, PowerPak 8 x 8L, Montaggio superficiale

Codice RS:: 225-9955
Codice costruttore:: SQJ180EP-T1_GE3
Costruttore:: Vishay

MOSFET Vishay, canale N, 0,0075 Ω, 248 A, PowerPak 8 x 8L, Montaggio superficiale

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100 - 240	1,384 €	13,84 €
250 - 490	1,313 €	13,13 €
500 - 990	1,255 €	12,55 €
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Codice RS:: 225-9955
Codice costruttore:: SQJ180EP-T1_GE3
Costruttore:: Vishay

Datasheet - SQJ180EP-T1_GE3

Attributo	Valore
Tipo di canale	N
Corrente massima continuativa di drain	248 A
Tensione massima drain source	80 V
Serie	N-Channel 80 V
Tipo di package	PowerPak 8 x 8L
Tipo di montaggio	Montaggio superficiale
Numero pin	4
Resistenza massima drain source	0,0075 Ω
Tensione di soglia gate massima	3.5V
Numero di elementi per chip	1

MOSFET Vishay, canale N, 0,0075 Ω, 248 A, PowerPak 8 x 8L, Montaggio superficiale

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