MOSFET Infineon, canale N 100 V, 1.5 mΩ Miglioramento, 350 A, 16 Pin, HDSOP, Superficie

Codice RS:: 228-6530
Codice costruttore:: IAUS300N10S5N015TATMA1
Costruttore:: Infineon

MOSFET Infineon, canale N 100 V, 1.5 mΩ Miglioramento, 350 A, 16 Pin, HDSOP, Superficie

Prezzo per 1 bobina da 1800 unità*

4458,60 €

(IVA esclusa)

5439,60 €

(IVA inclusa)

Consegna GRATUITA per ordini a partire da 60,00 €

Temporaneamente esaurito

Spedizione a partire dal 17 maggio 2027

Te ne servono di più? Inserisci la nuova quantità e clicca su "Controlla le date di consegna".

Unità	Per unità	Per bobina*
1800 +	2,477 €	4.458,60 €

*prezzo indicativo

Codice RS:: 228-6530
Codice costruttore:: IAUS300N10S5N015TATMA1
Costruttore:: Infineon

Specifiche

Documentazione Tecnica

Normative

Dettagli prodotto

Trova prodotti simili selezionando uno o più attributi.

Seleziona tutto	Attributo	Valore
	Marchio	Infineon
	Tipo di canale	N
	Tipo prodotto	MOSFET
	Massima corrente di scarico continua Id	350A
	Tensione massima della sorgente di scarico Vds	100V
	Tipo di package	HDSOP
	Serie	IAUS300N10S5N015T
	Tipo montaggio	Superficie
	Numero pin	16
	Resistenza massima della sorgente di scarico Rds	1.5mΩ
	Modalità canale	Miglioramento
	Minima temperatura operativa	-55°C
	Tensione diretta Vf	1.3V
	Dissipazione di potenza massima Pd	375W
	Temperatura massima di funzionamento	+175°C
	Standard/Approvazioni	No
	Standard automobilistico	AEC-Q101

	Seleziona tutto
	Marchio Infineon
	Tipo di canale N
	Tipo prodotto MOSFET
	Massima corrente di scarico continua Id 350A
	Tensione massima della sorgente di scarico Vds 100V
	Tipo di package HDSOP
	Serie IAUS300N10S5N015T
	Tipo montaggio Superficie
	Numero pin 16
	Resistenza massima della sorgente di scarico Rds 1.5mΩ
	Modalità canale Miglioramento
	Minima temperatura operativa -55°C
	Tensione diretta Vf 1.3V
	Dissipazione di potenza massima Pd 375W
	Temperatura massima di funzionamento +175°C
	Standard/Approvazioni No
	Standard automobilistico AEC-Q101

Datasheet-IAUS300N10S5N015TATMA1

MOSFET serie IAUS300N10S5N015T Infineon, tensione sorgente di drenaggio 100 V, corrente di drenaggio continua 350 A - IAUS300N10S5N015TATMA1

Questo MOSFET è un transistor di commutazione ad alta corrente progettato per applicazioni automobilistiche e di potenza impegnative, che fornisce una conduzione controllata in modalità di potenziamento a canale N in un ampio intervallo di temperatura. È fornito in un pacchetto HDSOP a 16 pin per montaggio superficiale adatto per assemblaggi di circuiti compatti e conforme ai criteri di sollecitazione automobilistica per l'uso nell'elettronica dei veicoli.

Caratteristiche e vantaggi:

• Valore nominale di drenaggio di 100 V che consente la commutazione ad alta tensione
• La corrente di drenaggio continua di 350 A supporta carichi di corrente pesanti
• La bassa Rds(on) di 1.5 mΩ riduce le perdite di conduzione
• La dissipazione di potenza di 375 W consente un carico termico prolungato
• La tolleranza del gate di ±20 V consente robusti margini di tensione di azionamento
• Intervallo di funzionamento da -55 °C a +175 °C per ambienti estremi

Applicazioni

• Adatto per gli inverter di trazione automobilistici
• Ideale per moduli di controllo motori ad alta corrente
• Utilizzato con la gestione della batteria e la distribuzione dell'alimentazione
• Può essere utilizzato per convertitori CC-CC nei veicoli
• Adatto per circuiti ausiliari per gruppi di trasmissione elettrici

Quali considerazioni sul pacchetto influenzano il layout del circuito stampato?

Il contenitore HDSOP a montaggio superficiale richiede versamenti termici in rame e più vie per circuito stampato per gestire il calore da un'elevata dissipazione di potenza.

In che modo il dispositivo gestisce le escursioni del gate transitorio?

La tolleranza gate di ±20 V definisce la massima tensione gate-to-source consentita per la protezione contro le sovratensioni transitorie.

Quale ambiente termico è supportato durante il funzionamento continuo?

Il funzionamento continuo è specificato in un intervallo di temperatura da -55 °C a +175 °C per adattarsi sia agli avvii a freddo che alle temperature elevate sotto il cappuccio.

In che modo la tensione diretta influisce sulle perdite di conduzione del diodo?

Una tensione diretta di 1,3 V per il diodo intrinseco determina la caduta di conduzione quando il diodo corpo conduce durante gli eventi di corrente inversa.