MOSFET Infineon, canale N, 0,0035 Ω, 150 A, HSOF-8, Montaggio superficiale

Codice RS:: 229-1806
Codice costruttore:: IAUT150N10S5N035ATMA1
Costruttore:: Infineon

MOSFET Infineon, canale N, 0,0035 Ω, 150 A, HSOF-8, Montaggio superficiale

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Codice RS:: 229-1806
Codice costruttore:: IAUT150N10S5N035ATMA1
Costruttore:: Infineon

Datasheet - IAUT150N10S5N035ATMA1

Attributo	Valore
Tipo di canale	N
Corrente massima continuativa di drain	150 A
Tensione massima drain source	100 V
Serie	OptiMOS™ 5
Tipo di package	HSOF-8
Tipo di montaggio	Montaggio superficiale
Numero pin	8
Resistenza massima drain source	0,0035 Ω
Modalità del canale	Enhancement
Tensione di soglia gate massima	3.8V
Numero di elementi per chip	1
Materiale del transistor	Silicone

MOSFET Infineon, canale N, 0,0035 Ω, 150 A, HSOF-8, Montaggio superficiale

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