2 MOSFET onsemi, canale Tipo P, 83 mΩ, 4.5 A 100 V, SOIC, Superficie Miglioramento, 8 Pin

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Prezzo per 1 bobina da 2500 unità*

900,00 €

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Codice RS:
230-9091
Codice costruttore:
NTMC083NP10M5L
Costruttore:
onsemi
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Marchio

onsemi

Tipo prodotto

MOSFET

Tipo di canale

Tipo P

Massima corrente di scarico continua Id

4.5A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

100V

Tipo di package

SOIC

Serie

NTMC0

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

8

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

83mΩ

Modalità canale

Miglioramento

Minima temperatura operativa

-55°C

Dissipazione di potenza massima Pd

3.1W

Tensione diretta Vf

0.8V

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

5nC

Temperatura massima di funzionamento

150°C

Standard/Approvazioni

RoHS Compliant

Numero elementi per chip

2

Standard automobilistico

No

Il MOSFET a canale n doppio e a canale P di ON Semiconductor ha una tensione di scarico-sorgente di 100 V. In genere viene utilizzato per la rettifica sincrona e la conversione c.c.-c.c.

Piccolo ingombro (5 x 6 mm) per un design compatto

Bassa perdita di conduzione

Basso RDS(on) per ridurre al minimo le perdite di conduzione

Ingombro standard

QG e capacità elettrica ridotte per minimizzare le perdite del driver

La parte non è a protezione ESD

Questi dispositivi sono senza piombo, senza alogeni/senza BFR e sono conformi alla direttiva RoHS

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