MOSFET onsemi, canale N, 6,6 mΩ, 18,5 A, SOIC, Montaggio superficiale

Codice RS:: 806-3668
Codice costruttore:: FDS8813NZ
Costruttore:: onsemi

MOSFET onsemi, canale N, 6,6 mΩ, 18,5 A, SOIC, Montaggio superficiale

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Codice RS:: 806-3668
Codice costruttore:: FDS8813NZ
Costruttore:: onsemi

FDS8813NZ, N-Channel PowerTrench MOSFET 30V 18.5A 4.5mOhm Data Sheet
ESD Control Selection Guide V1

Codice RS:: 806-3668
Codice costruttore:: FDS8813NZ
Costruttore:: onsemi

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Attributo	Valore
Tipo di canale	N
Corrente massima continuativa di drain	18,5 A
Tensione massima drain source	30 V
Serie	PowerTrench
Tipo di package	SOIC
Tipo di montaggio	Montaggio superficiale
Numero pin	8
Resistenza massima drain source	6,6 mΩ
Modalità del canale	Enhancement
Tensione di soglia gate minima	1V
Dissipazione di potenza massima	2,5 W
Configurazione transistor	Singolo
Tensione massima gate source	-20 V, +20 V
Larghezza	3.9mm
Materiale del transistor	Si
Numero di elementi per chip	1
Massima temperatura operativa	+150 °C
Lunghezza	4.9mm
Carica gate tipica @ Vgs	28 nC a 5 V, 55 nC a 10 V
Altezza	1.575mm
Minima temperatura operativa	-55 °C

Attributo	Valore
Tipo di canale	N
Corrente massima continuativa di drain	18,5 A
Tensione massima drain source	30 V
Serie	PowerTrench
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Tipo di montaggio	Montaggio superficiale
Numero pin	8
Resistenza massima drain source	6,6 mΩ
Modalità del canale	Enhancement
Tensione di soglia gate minima	1V
Dissipazione di potenza massima	2,5 W
Configurazione transistor	Singolo
Tensione massima gate source	-20 V, +20 V
Larghezza	3.9mm
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Numero di elementi per chip	1
Massima temperatura operativa	+150 °C
Lunghezza	4.9mm
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MOSFET onsemi, canale N, 6,6 mΩ, 18,5 A, SOIC, Montaggio superficiale

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