MOSFET Infineon, canale N 100 V, 14.9 mΩ, 59 A, 8 Pin, SO-8, Superficie

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Codice RS:
232-6761
Codice costruttore:
ISC0804NLSATMA1
Costruttore:
Infineon
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Marchio

Infineon

Tipo di canale

N

Tipo prodotto

MOSFET

Massima corrente di scarico continua Id

59A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

100V

Tipo di package

SO-8

Serie

OptiMOS 5

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

8

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

14.9mΩ

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

20V

Minima temperatura operativa

-55°C

Dissipazione di potenza massima Pd

60W

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

24nC

Temperatura massima di funzionamento

175°C

Larghezza

1.2mm

Lunghezza

6.1mm

Standard/Approvazioni

No

Altezza

5.35mm

Standard automobilistico

No

Il MOSFET di potenza PD OptiMOS 100 V di Infineon è progettato per applicazioni con USB-PD e adattatori. Il contenitore SuperSO8 offre un rapido incremento e tempi di consegna ottimizzati. I MOSFET a bassa tensione OptiMOS per l'erogazione di potenza consentono progetti con meno parti che portano alla riduzione dei costi BOM. OptiMOS PD è dotata di prodotti di qualità in contenitori compatti e leggeri.

Disponibilità a livello logico

Eccellente comportamento termico

Testato con effetto valanga al 100%

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