MOSFET onsemi, canale Tipo N 1200 V, 30 mΩ N, 68 A, 4 Pin, TO-247, Foro passante
- Codice RS:
- 233-6853
- Codice costruttore:
- NTH4L022N120M3S
- Costruttore:
- onsemi
Prezzo per 1 tubo da 450 unità*
4460,40 €
(IVA esclusa)
5441,85 €
(IVA inclusa)
Consegna GRATUITA per ordini a partire da 60,00 €
Temporaneamente esaurito
- Spedizione a partire dal 13 maggio 2026
Te ne servono di più? Inserisci la nuova quantità e clicca su "Controlla le date di consegna".
Unità | Per unità | Per Tubo* |
|---|---|---|
| 450 + | 9,912 € | 4.460,40 € |
*prezzo indicativo
- Codice RS:
- 233-6853
- Codice costruttore:
- NTH4L022N120M3S
- Costruttore:
- onsemi
Specifiche
Documentazione Tecnica
Normative
Dettagli prodotto
Trova prodotti simili selezionando uno o più attributi.
Seleziona tutto | Attributo | Valore |
|---|---|---|
| Marchio | onsemi | |
| Tipo prodotto | MOSFET | |
| Tipo di canale | Tipo N | |
| Massima corrente di scarico continua Id | 68A | |
| Tensione massima della sorgente di scarico Vds | 1200V | |
| Tipo di package | TO-247 | |
| Serie | NTH | |
| Tipo montaggio | Foro passante | |
| Numero pin | 4 | |
| Resistenza massima della sorgente di scarico Rds | 30mΩ | |
| Modalità canale | N | |
| Tensione diretta Vf | 1.2V | |
| Carica tipica del gate Qg @ Vgs | 151nC | |
| Minima temperatura operativa | -55°C | |
| Tensione massima della sorgente del cancello Vgs | -0.45 V | |
| Dissipazione di potenza massima Pd | 325W | |
| Temperatura massima di funzionamento | 175°C | |
| Larghezza | 5.2 mm | |
| Altezza | 41.36mm | |
| Lunghezza | 15.8mm | |
| Standard/Approvazioni | RoHS | |
| Standard automobilistico | No | |
| Seleziona tutto | ||
|---|---|---|
Marchio onsemi | ||
Tipo prodotto MOSFET | ||
Tipo di canale Tipo N | ||
Massima corrente di scarico continua Id 68A | ||
Tensione massima della sorgente di scarico Vds 1200V | ||
Tipo di package TO-247 | ||
Serie NTH | ||
Tipo montaggio Foro passante | ||
Numero pin 4 | ||
Resistenza massima della sorgente di scarico Rds 30mΩ | ||
Modalità canale N | ||
Tensione diretta Vf 1.2V | ||
Carica tipica del gate Qg @ Vgs 151nC | ||
Minima temperatura operativa -55°C | ||
Tensione massima della sorgente del cancello Vgs -0.45 V | ||
Dissipazione di potenza massima Pd 325W | ||
Temperatura massima di funzionamento 175°C | ||
Larghezza 5.2 mm | ||
Altezza 41.36mm | ||
Lunghezza 15.8mm | ||
Standard/Approvazioni RoHS | ||
Standard automobilistico No | ||
MOSFET in carburo di silicio (SiC) - EliteSiC, 22 mohm, 1200 V, M3S, TO-247-4L
Il modello NTH4L022N120M3S on Semiconductor è un MOSFET di potenza a canale N singolo SiC. È disponibile in un contenitore TO247-4L. Con una tensione drain-source di 1200 V e una corrente di drain continua di 68 A, il modello NTH4L022N120M3S è utilizzato in applicazioni come inverter solari, stazioni di ricarica per veicoli elettrici, UPS (alimentatori continui), sistemi di immagazzinamento dell'energia, SMPS (alimentatori switching).
La RDS(ON) tipica per questo dispositivo è 22 mꭥ con VGS di 18 V.
Il dispositivo offre basse perdite di commutazione
È testato con effetto valanga al 100%