MOSFET Infineon, canale Tipo N 100 V, 20.8 mΩ N, 40 A, 8 Pin, TSDSON-8 FL, Superficie BSZ0803LSATMA1

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Codice RS:
234-6990
Codice costruttore:
BSZ0803LSATMA1
Costruttore:
Infineon
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Marchio

Infineon

Tipo di canale

Tipo N

Tipo prodotto

MOSFET

Massima corrente di scarico continua Id

40A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

100V

Serie

BSZ

Tipo di package

TSDSON-8 FL

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

8

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

20.8mΩ

Modalità canale

N

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

7.6nC

Minima temperatura operativa

-55°C

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

20 V

Dissipazione di potenza massima Pd

52W

Tensione diretta Vf

1.1V

Temperatura massima di funzionamento

150°C

Altezza

1.2mm

Lunghezza

5.35mm

Larghezza

6.1 mm

Standard/Approvazioni

No

Standard automobilistico

No

Il MOSFET di potenza a canale N Infineon OptiMOSTM PD si rivolge alle applicazioni USB-PD e adattatore. Il prodotto offre una rapida rampa e tempi di consegna ottimizzati. I MOSFET a bassa tensione OptiMOSTM per l'erogazione di potenza consentono di progettare con meno parti che riducono i costi BOM e offrono prodotti di qualità in contenitori compatti e leggeri. È dotato di corrente di scarico continua massima di 40 A e tensione di sorgente di scarico massima di 100 V. È ideale per la commutazione ad alta frequenza e ottimizzato per i caricabatterie.

Disponibilità di livello logico

Bassa resistenza allo stato on RDS(on)

Bassa carica di gate, uscita e recupero inverso

Eccellente comportamento termico

Prodotto testato al 100% contro le scariche disruptive a valanga

Placcatura del cavo senza piombo.

Senza alogeni in conformità a IEC61249-2-21

Conformità alla direttiva RoHS

Disponibile in 2 piccoli contenitori standard

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