MOSFET Infineon, canale N 40 V, 0.7 mΩ N, 212 A, 8 Pin, TSDSON-8 FL, Superficie BSZ0500NSIATMA1

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Opzioni di confezione:
Codice RS:
241-9887
Codice costruttore:
BSZ0500NSIATMA1
Costruttore:
Infineon
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Marchio

Infineon

Tipo di canale

N

Tipo prodotto

MOSFET

Massima corrente di scarico continua Id

212A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

40V

Tipo di package

TSDSON-8 FL

Serie

BSZ

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

8

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

0.7mΩ

Modalità canale

N

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

20V

Tensione diretta Vf

1V

Minima temperatura operativa

-55°C

Dissipazione di potenza massima Pd

81W

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

80nC

Temperatura massima di funzionamento

175°C

Standard/Approvazioni

RoHS

Standard automobilistico

No

Il transistor di potenza OptiMOS 5 Infineon è un MOSFET di potenza a canale N ottimizzato per convertitori buck ad alte prestazioni. È dotato di placcatura senza piombo.

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