MOSFET Infineon, canale Tipo N 40 V, 0.7 mΩ N, 212 A, 8 Pin, PQFN, Superficie BSZ039N06NSATMA1

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Opzioni di confezione:
Codice RS:
241-9705
Codice costruttore:
BSZ039N06NSATMA1
Costruttore:
Infineon
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Marchio

Infineon

Tipo di canale

Tipo N

Tipo prodotto

MOSFET

Massima corrente di scarico continua Id

212A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

40V

Tipo di package

PQFN

Serie

BSZ

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

8

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

0.7mΩ

Modalità canale

N

Minima temperatura operativa

-55°C

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

80nC

Dissipazione di potenza massima Pd

81W

Tensione diretta Vf

1V

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

20 V

Temperatura massima di funzionamento

175°C

Standard/Approvazioni

RoHS

Standard automobilistico

No

Il transistor di potenza OptiMOS Infineon è un MOSFET a canale N completamente qualificato in conformità a JEDEC per le applicazioni industriali. È dotato di una maggiore affidabilità del giunto a saldare grazie all'interconnessione della sorgente estesa.

Ottimizzato per prestazioni elevate

SMPSSuperior resistenza termica

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