MOSFET Infineon, canale Tipo N 40 V, 0.7 mΩ N, 212 A, 8 Pin, PQFN, Superficie BSZ024N04LS6ATMA1

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Opzioni di confezione:
Codice RS:
241-9703
Codice costruttore:
BSZ024N04LS6ATMA1
Costruttore:
Infineon
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Marchio

Infineon

Tipo di canale

Tipo N

Tipo prodotto

MOSFET

Massima corrente di scarico continua Id

212A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

40V

Tipo di package

PQFN

Serie

BSZ

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

8

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

0.7mΩ

Modalità canale

N

Minima temperatura operativa

-55°C

Tensione diretta Vf

1V

Dissipazione di potenza massima Pd

81W

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

80nC

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

20 V

Temperatura massima di funzionamento

175°C

Standard/Approvazioni

RoHS

Standard automobilistico

No

Il transistor di potenza OptiMOS 6 Infineon è un MOSFET a canale N ottimizzato per l'applicazione sincrona. È dotato di un'eccellente resistenza termica.

Senza alogeni in conformità a IEC61249-2-21

100% testato su valanghe

Qualificato in conformità a JEDEC per le applicazioni target

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