MOSFET Infineon, canale N 40 V, 0.7 mΩ N, 212 A, 8 Pin, PQFN, Superficie BSZ024N04LS6ATMA1
- Codice RS:
- 241-9703
- Codice costruttore:
- BSZ024N04LS6ATMA1
- Costruttore:
- Infineon
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*prezzo indicativo
- Codice RS:
- 241-9703
- Codice costruttore:
- BSZ024N04LS6ATMA1
- Costruttore:
- Infineon
Specifiche
Documentazione Tecnica
Normative
Dettagli prodotto
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Seleziona tutto | Attributo | Valore |
|---|---|---|
| Marchio | Infineon | |
| Tipo prodotto | MOSFET | |
| Tipo di canale | N | |
| Massima corrente di scarico continua Id | 212A | |
| Tensione massima della sorgente di scarico Vds | 40V | |
| Tipo di package | PQFN | |
| Serie | BSZ | |
| Tipo montaggio | Superficie | |
| Numero pin | 8 | |
| Resistenza massima della sorgente di scarico Rds | 0.7mΩ | |
| Modalità canale | N | |
| Carica tipica del gate Qg @ Vgs | 80nC | |
| Minima temperatura operativa | -55°C | |
| Dissipazione di potenza massima Pd | 81W | |
| Tensione diretta Vf | 1V | |
| Tensione massima della sorgente del cancello Vgs | 20V | |
| Temperatura massima di funzionamento | 175°C | |
| Standard/Approvazioni | RoHS | |
| Standard automobilistico | No | |
| Seleziona tutto | ||
|---|---|---|
Marchio Infineon | ||
Tipo prodotto MOSFET | ||
Tipo di canale N | ||
Massima corrente di scarico continua Id 212A | ||
Tensione massima della sorgente di scarico Vds 40V | ||
Tipo di package PQFN | ||
Serie BSZ | ||
Tipo montaggio Superficie | ||
Numero pin 8 | ||
Resistenza massima della sorgente di scarico Rds 0.7mΩ | ||
Modalità canale N | ||
Carica tipica del gate Qg @ Vgs 80nC | ||
Minima temperatura operativa -55°C | ||
Dissipazione di potenza massima Pd 81W | ||
Tensione diretta Vf 1V | ||
Tensione massima della sorgente del cancello Vgs 20V | ||
Temperatura massima di funzionamento 175°C | ||
Standard/Approvazioni RoHS | ||
Standard automobilistico No | ||
MOSFET Infineon serie BSZ, tensione massima della sorgente di drenaggio di 40 V, corrente di drenaggio continua massima di 212 A - BSZ024N04LS6ATMA1
Questo MOSFET è un dispositivo di commutazione a canale N a base di silicio progettato per applicazioni di potenza ad alta corrente in assemblaggi a montaggio superficiale. Funziona in un intervallo di temperatura esteso ed è progettato per l'uso nei casi in cui sono richieste basse perdite di conduzione e una robusta gestione del gate.
Caratteristiche e vantaggi:
• Rds(on) di 0,7 mΩ riduce le perdite di conduzione per un funzionamento ad alta efficienza
• La corrente di drenaggio continua di 212 A supporta carichi di corrente pesanti
• Il valore nominale di 40 V drain-source consente stadi di potenza a bassa tensione
• La dissipazione di potenza di 81 W gestisce lo stress termico durante carichi elevati
• La carica di gate tipica a 80 nC bilancia la velocità di commutazione e lo sforzo di azionamento
• Il limite gate-sorgente a 20 V fornisce un margine di protezione del gate definito
• La corrente di drenaggio continua di 212 A supporta carichi di corrente pesanti
• Il valore nominale di 40 V drain-source consente stadi di potenza a bassa tensione
• La dissipazione di potenza di 81 W gestisce lo stress termico durante carichi elevati
• La carica di gate tipica a 80 nC bilancia la velocità di commutazione e lo sforzo di azionamento
• Il limite gate-sorgente a 20 V fornisce un margine di protezione del gate definito
Applicazioni
• Adatto per le fasi di azionamento del motore che richiedono un'elevata corrente continua
• Ideale per gli stadi primari o sincroni del convertitore CC-CC
• Utilizzato con l'elettronica di potenza nei sistemi di azionamento industriali
• Può essere utilizzato per la commutazione ad alta corrente nella gestione della batteria
• Adatto per assemblaggi a montaggio superficiale che richiedono contenitori PQFN compatti
• Ideale per gli stadi primari o sincroni del convertitore CC-CC
• Utilizzato con l'elettronica di potenza nei sistemi di azionamento industriali
• Può essere utilizzato per la commutazione ad alta corrente nella gestione della batteria
• Adatto per assemblaggi a montaggio superficiale che richiedono contenitori PQFN compatti
Quale tipo di contenitore viene utilizzato per il montaggio termico e su circuito stampato?
Viene fornito in un contenitore PQFN ottimizzato per il montaggio superficiale e il trasferimento del calore.
Quale intervallo di temperatura ambiente può resistere durante il funzionamento?
Funziona a temperature comprese tra -55 °C e 175 °C per un'ampia gamma di impieghi.
In che modo il dispositivo gestisce i requisiti di azionamento del gate?
Il gate richiede un azionamento compatibile con una carica tipica del gate di 80 nC e non deve superare un limite di 20 V Vgs.
Il dispositivo è conforme alle comuni direttive sui materiali elettronici?
È conforme ai requisiti RoHS che limitano l'uso di determinate sostanze pericolose.
Quanti collegamenti elettrici presenta il pacchetto per il layout del circuito stampato?
Il dispositivo viene fornito con una configurazione a 8 pin per il routing e la progettazione a terra termica.
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