MOSFET Infineon, canale Tipo N 40 V, 0.7 mΩ, 11 A, 8 Pin, PQFN, Superficie

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Codice RS:
243-9300
Codice costruttore:
IRL100HS121
Costruttore:
Infineon
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Marchio

Infineon

Tipo prodotto

MOSFET

Tipo di canale

Tipo N

Massima corrente di scarico continua Id

11A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

40V

Serie

IRFH

Tipo di package

PQFN

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

8

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

0.7mΩ

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

20 V

Tensione diretta Vf

1V

Minima temperatura operativa

-55°C

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

80nC

Dissipazione di potenza massima Pd

81W

Temperatura massima di funzionamento

175°C

Standard/Approvazioni

RoHS

Standard automobilistico

AEC-Q101

Il MOSFET di potenza a canale N Infineon IRL100HS121 è disponibile in tre diverse classi di tensione (60 V, 80 V e 100 V). I nuovi MOSFET di potenza a livello logico Infineon sono particolarmente adatti per applicazioni di ricarica wireless, telecomunicazioni e adattatori. Il formato PQFN 2x2 è particolarmente adatto per le applicazioni di commutazione ad alta velocità e per quelle critiche in termini di fattore di forma. Consente una maggiore densità di potenza e una migliore efficienza, nonché un notevole risparmio di spazio.

FOM più bassa (RDS(on) x Q g/gd)

Q g, C oss e Q rr ottimizzati per una commutazione rapida

Compatibilità a livello logico

Minuscolo contenitore PQFN 2x2 mm

Progetti a più alta densità di potenza

Frequenza di commutazione più elevata

Utilizza il chip OptiMOS™5

Riduzione del numero di componenti ovunque siano disponibili alimentazioni a 5 V

Azionato direttamente dai microcontroller (commutazione lenta)

Riduzione dei costi di sistema

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