MOSFET Infineon, canale N 40 V, 0.7 mΩ N, 212 A, 8 Pin, PQFN, Superficie

Codice RS:: 241-9702
Codice costruttore:: BSZ024N04LS6ATMA1
Costruttore:: Infineon

MOSFET Infineon, canale N 40 V, 0.7 mΩ N, 212 A, 8 Pin, PQFN, Superficie

Prezzo per 1 bobina da 5000 unità*

3110,00 €

(IVA esclusa)

3795,00 €

(IVA inclusa)

Consegna GRATUITA per ordini a partire da 60,00 €

Temporaneamente esaurito

Spedizione a partire dal 25 ottobre 2027

Te ne servono di più? Inserisci la nuova quantità e clicca su "Controlla le date di consegna".

Unità	Per unità	Per bobina*
5000 +	0,622 €	3.110,00 €

*prezzo indicativo

Codice RS:: 241-9702
Codice costruttore:: BSZ024N04LS6ATMA1
Costruttore:: Infineon

Specifiche

Documentazione Tecnica

Normative

Dettagli prodotto

Trova prodotti simili selezionando uno o più attributi.

Seleziona tutto	Attributo	Valore
	Marchio	Infineon
	Tipo prodotto	MOSFET
	Tipo di canale	N
	Massima corrente di scarico continua Id	212A
	Tensione massima della sorgente di scarico Vds	40V
	Tipo di package	PQFN
	Serie	BSZ
	Tipo montaggio	Superficie
	Numero pin	8
	Resistenza massima della sorgente di scarico Rds	0.7mΩ
	Modalità canale	N
	Tensione massima della sorgente del cancello Vgs	20V
	Tensione diretta Vf	1V
	Carica tipica del gate Qg @ Vgs	80nC
	Dissipazione di potenza massima Pd	81W
	Minima temperatura operativa	-55°C
	Temperatura massima di funzionamento	175°C
	Standard/Approvazioni	RoHS
	Standard automobilistico	No

	Seleziona tutto
	Marchio Infineon
	Tipo prodotto MOSFET
	Tipo di canale N
	Massima corrente di scarico continua Id 212A
	Tensione massima della sorgente di scarico Vds 40V
	Tipo di package PQFN
	Serie BSZ
	Tipo montaggio Superficie
	Numero pin 8
	Resistenza massima della sorgente di scarico Rds 0.7mΩ
	Modalità canale N
	Tensione massima della sorgente del cancello Vgs 20V
	Tensione diretta Vf 1V
	Carica tipica del gate Qg @ Vgs 80nC
	Dissipazione di potenza massima Pd 81W
	Minima temperatura operativa -55°C
	Temperatura massima di funzionamento 175°C
	Standard/Approvazioni RoHS
	Standard automobilistico No

Datasheet - BSZ024N04LS6ATMA1

MOSFET Infineon serie BSZ, tensione massima della sorgente di drenaggio di 40 V, corrente di drenaggio continua massima di 212 A - BSZ024N04LS6ATMA1

Questo MOSFET è un dispositivo di commutazione a canale N a base di silicio progettato per applicazioni di potenza ad alta corrente in assemblaggi a montaggio superficiale. Funziona in un intervallo di temperatura esteso ed è progettato per l'uso nei casi in cui sono richieste basse perdite di conduzione e una robusta gestione del gate.

Caratteristiche e vantaggi:

• Rds(on) di 0,7 mΩ riduce le perdite di conduzione per un funzionamento ad alta efficienza
• La corrente di drenaggio continua di 212 A supporta carichi di corrente pesanti
• Il valore nominale di 40 V drain-source consente stadi di potenza a bassa tensione
• La dissipazione di potenza di 81 W gestisce lo stress termico durante carichi elevati
• La carica di gate tipica a 80 nC bilancia la velocità di commutazione e lo sforzo di azionamento
• Il limite gate-sorgente a 20 V fornisce un margine di protezione del gate definito

Applicazioni

• Adatto per le fasi di azionamento del motore che richiedono un'elevata corrente continua
• Ideale per gli stadi primari o sincroni del convertitore CC-CC
• Utilizzato con l'elettronica di potenza nei sistemi di azionamento industriali
• Può essere utilizzato per la commutazione ad alta corrente nella gestione della batteria
• Adatto per assemblaggi a montaggio superficiale che richiedono contenitori PQFN compatti

Quale tipo di contenitore viene utilizzato per il montaggio termico e su circuito stampato?

Viene fornito in un contenitore PQFN ottimizzato per il montaggio superficiale e il trasferimento del calore.

Quale intervallo di temperatura ambiente può resistere durante il funzionamento?

Funziona a temperature comprese tra -55 °C e 175 °C per un'ampia gamma di impieghi.

In che modo il dispositivo gestisce i requisiti di azionamento del gate?

Il gate richiede un azionamento compatibile con una carica tipica del gate di 80 nC e non deve superare un limite di 20 V Vgs.

Il dispositivo è conforme alle comuni direttive sui materiali elettronici?

È conforme ai requisiti RoHS che limitano l'uso di determinate sostanze pericolose.

Quanti collegamenti elettrici presenta il pacchetto per il layout del circuito stampato?

Il dispositivo viene fornito con una configurazione a 8 pin per il routing e la progettazione a terra termica.