MOSFET Renesas Electronics, canale N, 4,6 Ω, 4 A, TO-3PN, Su foro
- Codice RS:
- 234-7062
- Codice costruttore:
- 2SK1835-E
- Costruttore:
- Renesas Electronics
19 Entro 1 giorni lavorativi per ordini effettuati entro le 19:00 (magazzini in Europa)
6 Entro 1 giorni lavorativi per ordini effettuati entro le 19:00 (magazzini in Europa)
Aggiunto
Prezzo per Unità
8,70 €
(IVA esclusa)
10,61 €
(IVA inclusa)
| Unità | Per unità |
| 1 - 4 | 8,70 € |
| 5 - 9 | 8,51 € |
| 10 - 29 | 7,87 € |
| 30 + | 7,51 € |
- Codice RS:
- 234-7062
- Codice costruttore:
- 2SK1835-E
- Costruttore:
- Renesas Electronics
Documentazione Tecnica
Normative
Dettagli prodotto
Il MOSFET a canale N in silicio Renesas Electronics è adatto per applicazioni di commutazione e commutazione di carico. Ha un'elevata tensione di scarica distruttiva di 1500 V. È adatto anche per regolatore switching.
Bassa resistenza in stato attivo
Commutazione ad alta velocità
Elevata robustezza
Bassa corrente di azionamento
Nessun guasto secondario
Commutazione ad alta velocità
Elevata robustezza
Bassa corrente di azionamento
Nessun guasto secondario
Specifiche
Attributo | Valore |
|---|---|
| Tipo di canale | N |
| Corrente massima continuativa di drain | 4 A |
| Tensione massima drain source | 1500 V |
| Tipo di package | TO-3PN |
| Tipo di montaggio | Su foro |
| Numero pin | 3 |
| Resistenza massima drain source | 4,6 Ω |
| Modalità del canale | Enhancement |
| Materiale del transistor | Silicone |
| Numero di elementi per chip | 1 |
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