MOSFET Renesas Electronics, canale N 1.5 kV, 4.6 Ω Miglioramento, 4 A, 3 Pin, TO-3PN, Foro passante 2SK1835-E

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Opzioni di confezione:
Codice RS:
234-7062
Codice costruttore:
2SK1835-E
Costruttore:
Renesas Electronics
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Marchio

Renesas Electronics

Tipo prodotto

MOSFET

Tipo di canale

N

Massima corrente di scarico continua Id

4A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

1.5kV

Tipo di package

TO-3PN

Tipo montaggio

Foro passante

Numero pin

3

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

4.6Ω

Modalità canale

Miglioramento

Dissipazione di potenza massima Pd

125W

Minima temperatura operativa

-55°C

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

20V

Temperatura massima di funzionamento

150°C

Lunghezza

15.9mm

Larghezza

20.1mm

Standard/Approvazioni

No

Altezza

5mm

Standard automobilistico

No

Il MOSFET a canale N in silicio Renesas Electronics è adatto per le applicazioni di commutazione e interruttore di carico. È dotato di un'elevata tensione di rottura di 1500 V. È adatto anche per il regolatore di commutazione.

Bassa resistenza in stato attivo

Commutazione ad alta velocità

Elevata robustezza

Bassa corrente di azionamento

Nessuna rottura secondaria

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