MOSFET ROHM, canale Tipo N 60 V, 30 mΩ Miglioramento, 5.5 A, 8 Pin, TSMT-8, Superficie QH8KC6TCR

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Codice RS:
235-2669
Codice costruttore:
QH8KC6TCR
Costruttore:
ROHM
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Marchio

ROHM

Tipo di canale

Tipo N

Tipo prodotto

MOSFET

Massima corrente di scarico continua Id

5.5A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

60V

Tipo di package

TSMT-8

Serie

QH8KC6

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

8

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

30mΩ

Modalità canale

Miglioramento

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

7.6nC

Minima temperatura operativa

-55°C

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

20 V

Tensione diretta Vf

1.2V

Dissipazione di potenza massima Pd

1.5W

Temperatura massima di funzionamento

150°C

Standard/Approvazioni

No

Lunghezza

3.1mm

Altezza

2.9mm

Larghezza

0.85 mm

Standard automobilistico

No

Il MOSFET a doppio canale N ROHM che supporta tensione di tenuta 60V. Questo è progettato per apparecchiature di ingresso 24V, come ad esempio apparecchiature di automazione di fabbrica, e motori montati su stazioni di base. Questo prodotto è costituito da un MOSFET a canale N a bassa resistenza in stato attivo che è ridotto del 58%. Ciò contribuisce a un basso consumo energetico di vari dispositivi.

Contenitore per montaggio superficiale di piccole dimensioni

Placcatura senza piombo

Conformità RoHS

Senza alogeni

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