MOSFET ROHM, canale N, P, 0,09 (canale N) o, 0,091 (canale P) O., 3 A, 3,5 A, TSMT-8, Montaggio superficiale

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Codice RS:
235-2673
Codice costruttore:
QH8MC5TCR
Costruttore:
ROHM
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Marchio

ROHM

Tipo di canale

N, P

Corrente massima continuativa di drain

3 A, 3,5 A

Tensione massima drain source

60 V

Tipo di package

TSMT-8

Serie

QH8MC5

Tipo di montaggio

Montaggio superficiale

Numero pin

8

Resistenza massima drain source

0,09 (canale N) o, 0,091 (canale P) O.

Modalità del canale

Enhancement

Tensione di soglia gate massima

2.5V

Numero di elementi per chip

2

Il MOSFET ROHM a canale doppio N e canale P che supporta tensione di tenuta 60V. Questo è progettato per apparecchiature di ingresso 24V, come ad esempio apparecchiature di automazione di fabbrica, e motori montati su stazioni di base. Combinando il canale N ottimale + canale P, si riducono gli sforzi di progettazione. Contribuisce inoltre a ridurre il consumo energetico delle apparecchiature.

Bassa resistenza in stato attivo

Contenitore per montaggio superficiale di piccole dimensioni

Placcatura senza piombo

Conformità RoHS

Senza alogeni

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