MOSFET Infineon, canale N, 230 A, SuperSO8 5 x 6, Montaggio superficiale

ISC022N10NM6 OptiMOSTM 6 a 100 V a livello normale definisce il nuovo standard tecnologico nel campo dei MOSFET di potenza discreti. Rispetto ai prodotti alternativi, la tecnologia a wafer sottile di Infineon consente notevoli vantaggi in termini di prestazioni.
Il MOSFET di potenza industriale da 100 V OptiMOSTM 6 di Infineon è progettato per applicazioni ad alta frequenza di commutazione come l'alimentazione per telecomunicazioni e server, ma è anche la scelta ideale per altre applicazioni come l'energia solare, gli utensili elettrici e i droni.
Nel contenitore SuperSO8 si ottengono miglioramenti del ∼20% nella resistenza in stato attivo (RDS(on)) e una cifra di merito migliore del 30% (FOM - RDS(on) x Qg e Qgd) rispetto alla tecnologia precedente OptiMOSTM 5. Ciò consente ai progettisti di aumentare l'efficienza, facilitando la progettazione termica e riducendo il parallelo, riducendo i costi del sistema.

Rispetto a OptiMOSTM 5, la nuova tecnologia ottiene:
•RDS(on) inferiore di ∼20%
•FOMg migliorato del 30% e FOMgd migliore del 40%
•Carica di recupero inverso più bassa e morbida (Qrr)
•Ideale per frequenze di commutazione elevate
•MSL 1 classificato secondo J-STD-020
•Temperatura nominale di giunzione 175 °C
•Elevata potenza nominale a valanga
•Placcatura del cavo senza piombo.
•Conformità RoHS

•Basse perdite di conduzione
•Basse perdite di commutazione
•Accensione e spegnimento rapido
•Meno parallelizzazione richiesta
•Prestazioni affidabili e robuste
•Ecologico
•Meno parallelizzazione richiesta