MOSFET Infineon, canale Tipo N 100 V, 2.24 mΩ, 230 A, 8 Pin, SuperSO8 5 x 6, Superficie ISC022N10NM6ATMA1

Codice RS:: 235-4863
Codice costruttore:: ISC022N10NM6ATMA1
Costruttore:: Infineon

MOSFET Infineon, canale Tipo N 100 V, 2.24 mΩ, 230 A, 8 Pin, SuperSO8 5 x 6, Superficie ISC022N10NM6ATMA1

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Codice RS:: 235-4863
Codice costruttore:: ISC022N10NM6ATMA1
Costruttore:: Infineon

Specifiche

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Normative

Dettagli prodotto

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Seleziona tutto	Attributo	Valore
	Marchio	Infineon
	Tipo prodotto	MOSFET
	Tipo di canale	Tipo N
	Massima corrente di scarico continua Id	230A
	Tensione massima della sorgente di scarico Vds	100V
	Tipo di package	SuperSO8 5 x 6
	Serie	ISC
	Tipo montaggio	Superficie
	Numero pin	8
	Resistenza massima della sorgente di scarico Rds	2.24mΩ
	Tensione massima della sorgente del cancello Vgs	20 V
	Minima temperatura operativa	-55°C
	Carica tipica del gate Qg @ Vgs	91nC
	Dissipazione di potenza massima Pd	245W
	Temperatura massima di funzionamento	175°C
	Larghezza	1.1 mm
	Altezza	5.1mm
	Standard/Approvazioni	No
	Lunghezza	6.1mm
	Standard automobilistico	No

	Seleziona tutto
	Marchio Infineon
	Tipo prodotto MOSFET
	Tipo di canale Tipo N
	Massima corrente di scarico continua Id 230A
	Tensione massima della sorgente di scarico Vds 100V
	Tipo di package SuperSO8 5 x 6
	Serie ISC
	Tipo montaggio Superficie
	Numero pin 8
	Resistenza massima della sorgente di scarico Rds 2.24mΩ
	Tensione massima della sorgente del cancello Vgs 20 V
	Minima temperatura operativa -55°C
	Carica tipica del gate Qg @ Vgs 91nC
	Dissipazione di potenza massima Pd 245W
	Temperatura massima di funzionamento 175°C
	Larghezza 1.1 mm
	Altezza 5.1mm
	Standard/Approvazioni No
	Lunghezza 6.1mm
	Standard automobilistico No

Datasheet - ISC022N10NM6ATMA1

MOSFET di potenza OptiMOSTM 6 a livello normale da 100 V in contenitore SuperSO8

ISC022N10NM6 OptiMOSTM 6 a 100 V a livello normale definisce il nuovo standard tecnologico nel campo dei MOSFET di potenza discreti. Rispetto ai prodotti alternativi, la tecnologia a wafer sottile di Infineon consente notevoli vantaggi in termini di prestazioni.

Il MOSFET di potenza industriale da 100 V OptiMOSTM 6 di Infineon è progettato per applicazioni ad alta frequenza di commutazione come l'alimentazione per telecomunicazioni e server, ma è anche la scelta ideale per altre applicazioni come l'energia solare, gli utensili elettrici e i droni.

Nel contenitore SuperSO8 si ottengono miglioramenti del ∼20% nella resistenza in stato attivo (RDS(on)) e una cifra di merito migliore del 30% (FOM - RDS(on) x Qg e Qgd) rispetto alla tecnologia precedente OptiMOSTM 5. Ciò consente ai progettisti di aumentare l'efficienza, facilitando la progettazione termica e riducendo il parallelo, riducendo i costi del sistema.

Riassunto delle caratteristiche

Rispetto a OptiMOSTM 5, la nuova tecnologia ottiene:

•RDS(on) inferiore di ∼20%

•FOMg migliorato del 30% e FOMgd migliore del 40%

•Carica di recupero inverso più bassa e morbida (Qrr)

•Ideale per frequenze di commutazione elevate

•MSL 1 classificato secondo J-STD-020

•Temperatura nominale di giunzione 175 °C

•Elevata potenza nominale a valanga

•Placcatura del cavo senza piombo

•Conforme a RoHS

Vantaggi

•Basse perdite di conduzione

•Basse perdite di commutazione

•Accensione e spegnimento rapido

•Meno parallelizzazione richiesta

•Prestazioni affidabili e robuste

•Ecocompatibile