MOSFET Infineon, canale Tipo N 30 V, 5.5 mΩ, 433 A, 8 Pin, TDSON, Superficie BSC005N03LS5IATMA1
- Codice RS:
- 236-3644
- Codice costruttore:
- BSC005N03LS5IATMA1
- Costruttore:
- Infineon
Prezzo per 1 bobina da 5000 unità*
3415,00 €
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Unità | Per unità | Per bobina* |
|---|---|---|
| 5000 + | 0,683 € | 3.415,00 € |
*prezzo indicativo
- Codice RS:
- 236-3644
- Codice costruttore:
- BSC005N03LS5IATMA1
- Costruttore:
- Infineon
Specifiche
Documentazione Tecnica
Normative
Dettagli prodotto
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Seleziona tutto | Attributo | Valore |
|---|---|---|
| Marchio | Infineon | |
| Tipo prodotto | MOSFET | |
| Tipo di canale | Tipo N | |
| Massima corrente di scarico continua Id | 433A | |
| Tensione massima della sorgente di scarico Vds | 30V | |
| Tipo di package | TDSON | |
| Serie | OptiMOS™ | |
| Tipo montaggio | Superficie | |
| Numero pin | 8 | |
| Resistenza massima della sorgente di scarico Rds | 5.5mΩ | |
| Carica tipica del gate Qg @ Vgs | 51nC | |
| Dissipazione di potenza massima Pd | 188W | |
| Tensione massima della sorgente del cancello Vgs | 20 V | |
| Tensione diretta Vf | 0.7V | |
| Minima temperatura operativa | -55°C | |
| Temperatura massima di funzionamento | 175°C | |
| Standard/Approvazioni | No | |
| Larghezza | 6.35 mm | |
| Lunghezza | 5.49mm | |
| Altezza | 1.1mm | |
| Standard automobilistico | No | |
| Seleziona tutto | ||
|---|---|---|
Marchio Infineon | ||
Tipo prodotto MOSFET | ||
Tipo di canale Tipo N | ||
Massima corrente di scarico continua Id 433A | ||
Tensione massima della sorgente di scarico Vds 30V | ||
Tipo di package TDSON | ||
Serie OptiMOS™ | ||
Tipo montaggio Superficie | ||
Numero pin 8 | ||
Resistenza massima della sorgente di scarico Rds 5.5mΩ | ||
Carica tipica del gate Qg @ Vgs 51nC | ||
Dissipazione di potenza massima Pd 188W | ||
Tensione massima della sorgente del cancello Vgs 20 V | ||
Tensione diretta Vf 0.7V | ||
Minima temperatura operativa -55°C | ||
Temperatura massima di funzionamento 175°C | ||
Standard/Approvazioni No | ||
Larghezza 6.35 mm | ||
Lunghezza 5.49mm | ||
Altezza 1.1mm | ||
Standard automobilistico No | ||
Il MOSFET di potenza Infineon OptiMOS offre soluzioni di benchmark che consentono la massima densità di potenza ed efficienza energetica, sia in standby che a funzionamento completo. Offre una resistenza in stato attivo drain source di 0,55 m Ohm.
Massima efficienza
Massima densità di potenza in contenitore SuperSO8
Riduzione dei costi complessivi del sistema
Conformità RoHS
Senza alogeni
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