MOSFET Infineon, canale Tipo N 650 V, 2.9 mΩ N, 24 A, TDSON, Superficie

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Codice RS:
258-3886
Codice costruttore:
IPLK60R360PFD7ATMA1
Costruttore:
Infineon
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Marchio

Infineon

Tipo prodotto

MOSFET

Tipo di canale

Tipo N

Massima corrente di scarico continua Id

24A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

650V

Tipo di package

TDSON

Serie

IPL

Tipo montaggio

Superficie

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

2.9mΩ

Modalità canale

N

Tensione diretta Vf

1.2V

Standard/Approvazioni

No

Standard automobilistico

No

Il MOSFET a super giunzione Infineon CoolMOS PFD7 da 600 V integra l'offerta CoolMOS 7 per le applicazioni di consumo. Il MOSFET a super giunzione CoolMOS PFD7 in un contenitore ThinPAK 5x6 è dotato di RDS(on) di 360 mOhm che si traduce in basse perdite di commutazione. Questo contenitore è caratterizzato da un ingombro molto ridotto di 5 x 6 mm2 e da un profilo molto basso con un'altezza di 1 mm. Insieme al suo valore di riferimento a bassa emissione di parassiti, queste caratteristiche portano a fattori di forma significativamente più piccoli e contribuiscono a aumentare la densità di potenza. I prodotti CoolMOS PFD7 sono dotati di un diodo a corpo rapido che garantisce un dispositivo robusto e, a sua volta, riduce il costo del materiale per il cliente.

Diodo corpo rapido robusto integrato

Protezione ESD fino a 2 kV

Eccellente robustezza di commutazione

Bassa EMI

Riduzione dei costi BOM e facile fabbricazione

Robustezza e affidabilità

Facile da selezionare le parti giuste per la messa a punto del design

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