MOSFET Infineon 650 V, 2.9 mΩ, 14 A, TDSON, Superficie IPLK60R600PFD7ATMA1

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Opzioni di confezione:
Codice RS:
258-3889
Codice costruttore:
IPLK60R600PFD7ATMA1
Costruttore:
Infineon
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Marchio

Infineon

Tipo prodotto

MOSFET

Massima corrente di scarico continua Id

14A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

650V

Serie

IPL

Tipo di package

TDSON

Tipo montaggio

Superficie

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

2.9mΩ

Tensione diretta Vf

1.2V

Standard/Approvazioni

No

Standard automobilistico

No

Il MOSFET a super giunzione Infineon CoolMOS PFD7 da 600 V integra l'offerta CoolMOS 7 per le applicazioni di consumo. Il MOSFET a supergiunzione in un contenitore ThinPAK 5x6 è dotato di RDS(on) di 600 mOhm che si traduce in basse perdite di commutazione. Questo contenitore è caratterizzato da un ingombro molto ridotto di 5 x 6 mm2 e da un profilo molto basso con un'altezza di 1 mm. Insieme al suo valore di riferimento a bassa emissione di parassiti, queste caratteristiche portano a fattori di forma significativamente più piccoli e contribuiscono a aumentare la densità di potenza. I prodotti CoolMOS PFD7 sono dotati di un diodo a corpo rapido che garantisce un dispositivo robusto e, a sua volta, riduce il costo del materiale per il cliente.

RDS(on) FOM molto basso x Eoss

Diodo corpo rapido robusto integrato

Protezione ESD fino a 2 kV

Ampia gamma di valori RDS(on)

Perdite di commutazione ridotte al minimo

Miglioramento della densità di potenza rispetto alla più recente tecnologia di caricabatterie CoolMOS

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