MOSFET Infineon, canale Tipo N 700 V, 900 mΩ, 25 A, 3 Pin, TO-220, Foro passante IPP65R090CFD7XKSA1
- Codice RS:
- 236-3661
- Codice costruttore:
- IPP65R090CFD7XKSA1
- Costruttore:
- Infineon
Prezzo per 1 tubo da 500 unità*
869,00 €
(IVA esclusa)
1060,00 €
(IVA inclusa)
Consegna GRATUITA per ordini a partire da 60,00 €
Temporaneamente esaurito
- Spedizione a partire dal 01 giugno 2026
Te ne servono di più? Inserisci la nuova quantità e clicca su "Controlla le date di consegna".
Unità | Per unità | Per Tubo* |
|---|---|---|
| 500 + | 1,738 € | 869,00 € |
*prezzo indicativo
- Codice RS:
- 236-3661
- Codice costruttore:
- IPP65R090CFD7XKSA1
- Costruttore:
- Infineon
Specifiche
Documentazione Tecnica
Normative
Dettagli prodotto
Trova prodotti simili selezionando uno o più attributi.
Seleziona tutto | Attributo | Valore |
|---|---|---|
| Marchio | Infineon | |
| Tipo prodotto | MOSFET | |
| Tipo di canale | Tipo N | |
| Massima corrente di scarico continua Id | 25A | |
| Tensione massima della sorgente di scarico Vds | 700V | |
| Serie | CoolMOS | |
| Tipo di package | TO-220 | |
| Tipo montaggio | Foro passante | |
| Numero pin | 3 | |
| Resistenza massima della sorgente di scarico Rds | 900mΩ | |
| Minima temperatura operativa | -55°C | |
| Tensione diretta Vf | 1V | |
| Tensione massima della sorgente del cancello Vgs | 20 V | |
| Dissipazione di potenza massima Pd | 127W | |
| Carica tipica del gate Qg @ Vgs | 53nC | |
| Temperatura massima di funzionamento | 150°C | |
| Altezza | 9.45mm | |
| Lunghezza | 10.36mm | |
| Larghezza | 4.57 mm | |
| Standard/Approvazioni | No | |
| Standard automobilistico | No | |
| Seleziona tutto | ||
|---|---|---|
Marchio Infineon | ||
Tipo prodotto MOSFET | ||
Tipo di canale Tipo N | ||
Massima corrente di scarico continua Id 25A | ||
Tensione massima della sorgente di scarico Vds 700V | ||
Serie CoolMOS | ||
Tipo di package TO-220 | ||
Tipo montaggio Foro passante | ||
Numero pin 3 | ||
Resistenza massima della sorgente di scarico Rds 900mΩ | ||
Minima temperatura operativa -55°C | ||
Tensione diretta Vf 1V | ||
Tensione massima della sorgente del cancello Vgs 20 V | ||
Dissipazione di potenza massima Pd 127W | ||
Carica tipica del gate Qg @ Vgs 53nC | ||
Temperatura massima di funzionamento 150°C | ||
Altezza 9.45mm | ||
Lunghezza 10.36mm | ||
Larghezza 4.57 mm | ||
Standard/Approvazioni No | ||
Standard automobilistico No | ||
Il MOSFET a super giunzione Infineon CoolMOS con diodo integrato a corpo rapido è la scelta perfetta per topologie risonanti ad alta potenza. È la soluzione ideale per le applicazioni industriali, come server, telecomunicazioni, impianti solari e stazioni di ricarica EV, in cui consente miglioramenti significativi dell'efficienza rispetto alla concorrenza. Ha una corrente di drain di 25 A.
Eccellente robustezza di commutazione rigida
Ulteriore margine di sicurezza per i progetti con maggiore tensione bus
Maggiore densità di potenza
Eccezionale efficienza con carichi leggeri in applicazioni SMPS industriali
Migliore efficienza a pieno carico in applicazioni SMPS industriali
Competitività dei prezzi rispetto alle offerte alternative sul mercato
