MOSFET Infineon, canale Tipo N 700 V, 155 mΩ, 15 A, 3 Pin, TO-247, Foro passante IPW65R155CFD7XKSA1
- Codice RS:
- 236-3679
- Codice costruttore:
- IPW65R155CFD7XKSA1
- Costruttore:
- Infineon
Sconto per quantità disponibile
Prezzo per 1 confezione da 2 unità*
7,58 €
(IVA esclusa)
9,24 €
(IVA inclusa)
Consegna GRATUITA per ordini a partire da 60,00 €
In magazzino
- 148 unità pronte per la spedizione da un'altra sede
Te ne servono di più? Inserisci la nuova quantità e clicca su "Controlla le date di consegna".
Unità | Per unità | Per confezione* |
|---|---|---|
| 2 - 8 | 3,79 € | 7,58 € |
| 10 - 18 | 3,335 € | 6,67 € |
| 20 - 48 | 3,15 € | 6,30 € |
| 50 - 98 | 2,92 € | 5,84 € |
| 100 + | 2,695 € | 5,39 € |
*prezzo indicativo
- Codice RS:
- 236-3679
- Codice costruttore:
- IPW65R155CFD7XKSA1
- Costruttore:
- Infineon
Specifiche
Documentazione Tecnica
Normative
Dettagli prodotto
Trova prodotti simili selezionando uno o più attributi.
Seleziona tutto | Attributo | Valore |
|---|---|---|
| Marchio | Infineon | |
| Tipo di canale | Tipo N | |
| Tipo prodotto | MOSFET | |
| Massima corrente di scarico continua Id | 15A | |
| Tensione massima della sorgente di scarico Vds | 700V | |
| Serie | CoolMOS | |
| Tipo di package | TO-247 | |
| Tipo montaggio | Foro passante | |
| Numero pin | 3 | |
| Resistenza massima della sorgente di scarico Rds | 155mΩ | |
| Minima temperatura operativa | -55°C | |
| Tensione diretta Vf | 1V | |
| Carica tipica del gate Qg @ Vgs | 36nC | |
| Dissipazione di potenza massima Pd | 98W | |
| Temperatura massima di funzionamento | 150°C | |
| Standard/Approvazioni | No | |
| Lunghezza | 16.3mm | |
| Altezza | 21.5mm | |
| Standard automobilistico | No | |
| Seleziona tutto | ||
|---|---|---|
Marchio Infineon | ||
Tipo di canale Tipo N | ||
Tipo prodotto MOSFET | ||
Massima corrente di scarico continua Id 15A | ||
Tensione massima della sorgente di scarico Vds 700V | ||
Serie CoolMOS | ||
Tipo di package TO-247 | ||
Tipo montaggio Foro passante | ||
Numero pin 3 | ||
Resistenza massima della sorgente di scarico Rds 155mΩ | ||
Minima temperatura operativa -55°C | ||
Tensione diretta Vf 1V | ||
Carica tipica del gate Qg @ Vgs 36nC | ||
Dissipazione di potenza massima Pd 98W | ||
Temperatura massima di funzionamento 150°C | ||
Standard/Approvazioni No | ||
Lunghezza 16.3mm | ||
Altezza 21.5mm | ||
Standard automobilistico No | ||
Il MOSFET a super giunzione Infineon CoolMOS con diodo integrato a corpo rapido è la scelta perfetta per topologie risonanti ad alta potenza. È la soluzione ideale per le applicazioni industriali, come server, telecomunicazioni, impianti solari e stazioni di ricarica EV, in cui consente miglioramenti significativi dell'efficienza rispetto alla concorrenza. Ha una corrente di drain di 12 A.
Eccellente robustezza di commutazione rigida
Ulteriore margine di sicurezza per i progetti con maggiore tensione bus
Maggiore densità di potenza
Eccezionale efficienza con carichi leggeri in applicazioni SMPS industriali
Migliore efficienza a pieno carico in applicazioni SMPS industriali
Competitività dei prezzi rispetto alle offerte alternative sul mercato
Link consigliati
- MOSFET Infineon 155 mΩ 3 Pin Foro passante IPW65R155CFD7XKSA1
- MOSFET Infineon 155 mΩ N 3 Pin Superficie IPB65R155CFD7ATMA1
- MOSFET Infineon 155 mΩ 3 Pin Foro passante IPP65R155CFD7XKSA1
- MOSFET Infineon 48 mΩ Miglioramento 3 Pin Superficie
- MOSFET Infineon 65 mΩ Miglioramento 4 Pin Superficie
- MOSFET Infineon 110 mΩ 3 Pin Foro passante IPW65R110CFD7XKSA1
- MOSFET Infineon 125 mΩ 3 Pin Foro passante IPW65R125CFD7XKSA1
- MOSFET Infineon 900 mΩ 3 Pin Foro passante IPW65R090CFD7XKSA1
