MOSFET Infineon, canale Tipo N 700 V, 18 mΩ, 106 A, 4 Pin, TO-247-4, Foro passante IPZA65R018CFD7XKSA1
- Codice RS:
- 236-3680
- Codice costruttore:
- IPZA65R018CFD7XKSA1
- Costruttore:
- Infineon
Prezzo per 1 tubo da 240 unità*
2148,24 €
(IVA esclusa)
2620,80 €
(IVA inclusa)
Aggiungi 240 unità per ottenere la consegna gratuita
Temporaneamente esaurito
- Spedizione a partire dal 23 aprile 2026
Te ne servono di più? Inserisci la nuova quantità e clicca su "Controlla le date di consegna".
Unità | Per unità | Per Tubo* |
|---|---|---|
| 240 + | 8,951 € | 2.148,24 € |
*prezzo indicativo
- Codice RS:
- 236-3680
- Codice costruttore:
- IPZA65R018CFD7XKSA1
- Costruttore:
- Infineon
Specifiche
Documentazione Tecnica
Normative
Dettagli prodotto
Trova prodotti simili selezionando uno o più attributi.
Seleziona tutto | Attributo | Valore |
|---|---|---|
| Marchio | Infineon | |
| Tipo prodotto | MOSFET | |
| Tipo di canale | Tipo N | |
| Massima corrente di scarico continua Id | 106A | |
| Tensione massima della sorgente di scarico Vds | 700V | |
| Serie | CoolMOS | |
| Tipo di package | TO-247-4 | |
| Tipo montaggio | Foro passante | |
| Numero pin | 4 | |
| Resistenza massima della sorgente di scarico Rds | 18mΩ | |
| Tensione massima della sorgente del cancello Vgs | 20 V | |
| Minima temperatura operativa | -55°C | |
| Carica tipica del gate Qg @ Vgs | 234nC | |
| Dissipazione di potenza massima Pd | 446W | |
| Tensione diretta Vf | 1V | |
| Temperatura massima di funzionamento | 150°C | |
| Altezza | 21.1mm | |
| Larghezza | 5.1 mm | |
| Lunghezza | 15.9mm | |
| Standard/Approvazioni | No | |
| Standard automobilistico | No | |
| Seleziona tutto | ||
|---|---|---|
Marchio Infineon | ||
Tipo prodotto MOSFET | ||
Tipo di canale Tipo N | ||
Massima corrente di scarico continua Id 106A | ||
Tensione massima della sorgente di scarico Vds 700V | ||
Serie CoolMOS | ||
Tipo di package TO-247-4 | ||
Tipo montaggio Foro passante | ||
Numero pin 4 | ||
Resistenza massima della sorgente di scarico Rds 18mΩ | ||
Tensione massima della sorgente del cancello Vgs 20 V | ||
Minima temperatura operativa -55°C | ||
Carica tipica del gate Qg @ Vgs 234nC | ||
Dissipazione di potenza massima Pd 446W | ||
Tensione diretta Vf 1V | ||
Temperatura massima di funzionamento 150°C | ||
Altezza 21.1mm | ||
Larghezza 5.1 mm | ||
Lunghezza 15.9mm | ||
Standard/Approvazioni No | ||
Standard automobilistico No | ||
Il MOSFET a super giunzione Infineon CoolMOS con diodo integrato a corpo rapido è la scelta perfetta per topologie risonanti ad alta potenza. È la soluzione ideale per le applicazioni industriali, come server, telecomunicazioni, impianti solari e stazioni di ricarica EV, in cui consente miglioramenti significativi dell'efficienza rispetto alla concorrenza. Ha una corrente di drain di 106 A.
Eccellente robustezza di commutazione rigida
Ulteriore margine di sicurezza per i progetti con maggiore tensione bus
Maggiore densità di potenza
Eccezionale efficienza con carichi leggeri in applicazioni SMPS industriali
Migliore efficienza a pieno carico in applicazioni SMPS industriali
Competitività dei prezzi rispetto alle offerte alternative sul mercato
Link consigliati
- MOSFET Infineon 18 mΩ 4 Pin Foro passante IPZA65R018CFD7XKSA1
- MOSFET Infineon 65 mΩ Miglioramento 4 Pin Superficie
- MOSFET Infineon 18 mΩ 3 Pin Foro passante
- MOSFET Infineon 65 mΩ Miglioramento 4 Pin Superficie IPZ65R065C7XKSA1
- MOSFET Infineon 18 mΩ 3 Pin Foro passante IPW65R018CFD7XKSA1
- MOSFET Infineon 45 mΩ Miglioramento 4 Pin Foro passante
- MOSFET Infineon 45 mΩ Miglioramento 4 Pin Foro passante IPZ65R045C7XKSA1
- MOSFET Infineon 106 mΩ Miglioramento 4 Pin Foro passante
