MOSFET Microchip, canale Tipo P 30 V, 8 mΩ Miglioramento, 140 A, 3 Pin, TO-92, Foro passante VP0109N3-G
- Codice RS:
- 236-8964
- Codice costruttore:
- VP0109N3-G
- Costruttore:
- Microchip
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- Codice RS:
- 236-8964
- Codice costruttore:
- VP0109N3-G
- Costruttore:
- Microchip
Specifiche
Documentazione Tecnica
Normative
Dettagli prodotto
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Seleziona tutto | Attributo | Valore |
|---|---|---|
| Marchio | Microchip | |
| Tipo di canale | Tipo P | |
| Tipo prodotto | MOSFET | |
| Massima corrente di scarico continua Id | 140A | |
| Tensione massima della sorgente di scarico Vds | 30V | |
| Tipo di package | TO-92 | |
| Serie | VP0109 | |
| Tipo montaggio | Foro passante | |
| Numero pin | 3 | |
| Resistenza massima della sorgente di scarico Rds | 8mΩ | |
| Modalità canale | Miglioramento | |
| Tensione diretta Vf | 1.8V | |
| Minima temperatura operativa | -55°C | |
| Dissipazione di potenza massima Pd | 1.6W | |
| Tensione massima della sorgente del cancello Vgs | 20 V | |
| Temperatura massima di funzionamento | 150°C | |
| Standard/Approvazioni | No | |
| Standard automobilistico | No | |
| Seleziona tutto | ||
|---|---|---|
Marchio Microchip | ||
Tipo di canale Tipo P | ||
Tipo prodotto MOSFET | ||
Massima corrente di scarico continua Id 140A | ||
Tensione massima della sorgente di scarico Vds 30V | ||
Tipo di package TO-92 | ||
Serie VP0109 | ||
Tipo montaggio Foro passante | ||
Numero pin 3 | ||
Resistenza massima della sorgente di scarico Rds 8mΩ | ||
Modalità canale Miglioramento | ||
Tensione diretta Vf 1.8V | ||
Minima temperatura operativa -55°C | ||
Dissipazione di potenza massima Pd 1.6W | ||
Tensione massima della sorgente del cancello Vgs 20 V | ||
Temperatura massima di funzionamento 150°C | ||
Standard/Approvazioni No | ||
Standard automobilistico No | ||
Il transistor (normalmente spento) in modalità potenziata Microchip utilizza una struttura DMOS verticale e il consolidato processo di produzione di gate di silicio di Supertex. Questa combinazione produce un dispositivo con le funzionalità di gestione dell'alimentazione dei transistor bipolari, con alta impedenza di ingresso e coefficiente di temperatura positivo intrinseco nei dispositivi MOS. Come tutte le strutture MOS, questo dispositivo è privo di instabilità termica e di scarica secondaria indotta termicamente. I DMOS FET verticali sono ideali per un'ampia gamma di applicazioni di commutazione e amplificazione che richiedono una tensione di soglia molto bassa, un'elevata tensione di scarica distruttiva, un'elevata impedenza di ingresso, una bassa capacità di ingresso e rapide velocità di commutazione.
Privo di scarica secondaria
Basso requisito di potenza di azionamento
Facilità di collegamento in parallelo
Basso CISS e rapida velocità di commutazione
Stabilità termica eccellente
Diodo source-drain integrato
Elevata impedenza di ingresso e alto guadagno