MOSFET Microchip, canale Tipo P 30 V, 8 mΩ Miglioramento, 140 A, 3 Pin, TO-92, Foro passante

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Codice RS:
236-8961
Codice costruttore:
VP0106N3-G
Costruttore:
Microchip
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Marchio

Microchip

Tipo prodotto

MOSFET

Tipo di canale

Tipo P

Massima corrente di scarico continua Id

140A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

30V

Tipo di package

TO-92

Serie

VP0106

Tipo montaggio

Foro passante

Numero pin

3

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

8mΩ

Modalità canale

Miglioramento

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

20 V

Dissipazione di potenza massima Pd

1.6W

Minima temperatura operativa

-55°C

Tensione diretta Vf

1.8V

Temperatura massima di funzionamento

150°C

Standard/Approvazioni

No

Standard automobilistico

No

Il transistor normalmente spento in modalità potenziata Microchip utilizza una struttura DMOS verticale e il consolidato processo di produzione di gate di silicio di Supertex. Questa combinazione produce un dispositivo con le funzionalità di gestione dell'alimentazione dei transistor bipolari, con alta impedenza di ingresso e coefficiente di temperatura positivo intrinseco nei dispositivi MOS. Come tutte le strutture MOS, questo dispositivo è privo di instabilità termica e di scarica secondaria indotta termicamente. I DMOS FET verticali sono ideali per un'ampia gamma di applicazioni di commutazione e amplificazione che richiedono una tensione di soglia molto bassa, un'elevata tensione di scarica distruttiva, un'elevata impedenza di ingresso, una bassa capacità di ingresso e rapide velocità di commutazione.

Privo di scarica secondaria

Basso requisito di potenza di azionamento

Facilità di collegamento in parallelo

Basso CISS e rapida velocità di commutazione

Stabilità termica eccellente

Diodo source-drain integrato

Elevata impedenza di ingresso e alto guadagno

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