MOSFET Microchip, canale Tipo P 30 V, 8 mΩ Miglioramento, 140 A, 3 Pin, TO-92, Foro passante VP0106N3-G

Il transistor normalmente spento in modalità potenziata Microchip utilizza una struttura DMOS verticale e il consolidato processo di produzione di gate di silicio di Supertex. Questa combinazione produce un dispositivo con le funzionalità di gestione dell'alimentazione dei transistor bipolari, con alta impedenza di ingresso e coefficiente di temperatura positivo intrinseco nei dispositivi MOS. Come tutte le strutture MOS, questo dispositivo è privo di instabilità termica e di scarica secondaria indotta termicamente. I DMOS FET verticali sono ideali per un'ampia gamma di applicazioni di commutazione e amplificazione che richiedono una tensione di soglia molto bassa, un'elevata tensione di scarica distruttiva, un'elevata impedenza di ingresso, una bassa capacità di ingresso e rapide velocità di commutazione.

Privo di scarica secondaria