MOSFET Vishay, canale Tipo P 30 V, 0.065 Ω P, 4.5 A, 6 Pin, PowerPAK SC-75, Superficie SIB4317EDK-T1-GE3
- Codice RS:
- 239-5375
- Codice costruttore:
- SIB4317EDK-T1-GE3
- Costruttore:
- Vishay
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- Codice RS:
- 239-5375
- Codice costruttore:
- SIB4317EDK-T1-GE3
- Costruttore:
- Vishay
Specifiche
Documentazione Tecnica
Normative
Dettagli prodotto
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Seleziona tutto | Attributo | Valore |
|---|---|---|
| Marchio | Vishay | |
| Tipo di canale | Tipo P | |
| Tipo prodotto | MOSFET | |
| Massima corrente di scarico continua Id | 4.5A | |
| Tensione massima della sorgente di scarico Vds | 30V | |
| Tipo di package | PowerPAK SC-75 | |
| Serie | SIB | |
| Tipo montaggio | Superficie | |
| Numero pin | 6 | |
| Resistenza massima della sorgente di scarico Rds | 0.065Ω | |
| Modalità canale | P | |
| Tensione massima della sorgente del cancello Vgs | ±12 V | |
| Dissipazione di potenza massima Pd | 1W | |
| Carica tipica del gate Qg @ Vgs | 6.6nC | |
| Minima temperatura operativa | -55°C | |
| Temperatura massima di funzionamento | 150°C | |
| Lunghezza | 1.6mm | |
| Larghezza | 1.6 mm | |
| Standard/Approvazioni | RoHS | |
| Standard automobilistico | No | |
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|---|---|---|
Marchio Vishay | ||
Tipo di canale Tipo P | ||
Tipo prodotto MOSFET | ||
Massima corrente di scarico continua Id 4.5A | ||
Tensione massima della sorgente di scarico Vds 30V | ||
Tipo di package PowerPAK SC-75 | ||
Serie SIB | ||
Tipo montaggio Superficie | ||
Numero pin 6 | ||
Resistenza massima della sorgente di scarico Rds 0.065Ω | ||
Modalità canale P | ||
Tensione massima della sorgente del cancello Vgs ±12 V | ||
Dissipazione di potenza massima Pd 1W | ||
Carica tipica del gate Qg @ Vgs 6.6nC | ||
Minima temperatura operativa -55°C | ||
Temperatura massima di funzionamento 150°C | ||
Lunghezza 1.6mm | ||
Larghezza 1.6 mm | ||
Standard/Approvazioni RoHS | ||
Standard automobilistico No | ||
Il MOSFET a canale P Vishay ha una corrente di drain di -4,5 A. È utilizzato per dispositivi portatili come smartphone, tablet PC e computer mobile
Protezione ESD (MOSFET): 1500 V(HBM)
Testato al 100 % Rg
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