MOSFET Vishay, canale Tipo N 30 V, 0.02 Ω Depletion, 410 A, 4 Pin, PowerPAK SO-8L, Superficie SQJ186EP-T1_GE3

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Opzioni di confezione:
Codice RS:
239-8671
Codice costruttore:
SQJ186EP-T1_GE3
Costruttore:
Vishay
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Marchio

Vishay

Tipo di canale

Tipo N

Tipo prodotto

MOSFET

Massima corrente di scarico continua Id

410A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

30V

Tipo di package

PowerPAK SO-8L

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

4

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

0.02Ω

Modalità canale

Depletion

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

20 V

Dissipazione di potenza massima Pd

255W

Minima temperatura operativa

-55°C

Tensione diretta Vf

1.1V

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

43nC

Temperatura massima di funzionamento

125°C

Lunghezza

6.15mm

Larghezza

4.9 mm

Standard/Approvazioni

No

Standard automobilistico

AEC-Q101

Il modello SIDR Vishay è un MOSFET a canale N per il settore automobilistico che funziona a 80 V e 175 °C. Questo MOSFET viene utilizzato per un'elevata densità di potenza.

Qualifica AEC-Q101

Testata UIS

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