MOSFET STMicroelectronics, canale Tipo N 30 V, 45 mΩ Miglioramento, 55 A, 4 Pin, TO-247, Foro passante

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Codice RS:
240-0613
Codice costruttore:
STWA32N65DM6AG
Costruttore:
STMicroelectronics
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Marchio

STMicroelectronics

Tipo prodotto

MOSFET

Tipo di canale

Tipo N

Massima corrente di scarico continua Id

55A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

30V

Tipo di package

TO-247

Serie

STW

Tipo montaggio

Foro passante

Numero pin

4

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

45mΩ

Modalità canale

Miglioramento

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

52.6nC

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

25 V

Tensione diretta Vf

1.5V

Minima temperatura operativa

-55°C

Dissipazione di potenza massima Pd

320W

Temperatura massima di funzionamento

150°C

Standard/Approvazioni

UL

Lunghezza

40.92mm

Altezza

5.1mm

Larghezza

15.8 mm

Standard automobilistico

AEC-Q101

Il MOSFET di potenza a canale N ad alta tensione STMicroelectronics fa parte della serie di diodi a recupero rapido DM6 MDmesh. Rispetto alla generazione rapida MDmesh precedente, il DM6 combina carica di recupero molto bassa (Qrr), tempo di recupero (trr) e eccellente miglioramento di RDS(on) per area con uno dei comportamenti di commutazione più efficaci disponibili sul mercato per le topologie a ponte più impegnative ad alta efficienza e i convertitori a spostamento di fase ZVS.

Certificazione AEC-Q101

Diodo corpo a recupero rapido

RDS(on) inferiore per area rispetto alla generazione precedente

Carica gate bassa, capacità di ingresso e resistenza

Testato a valanga al 100%

Estremamente robusto dv/dt

Protezione Zener

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