MOSFET STMicroelectronics, canale N 30 V, 45 mΩ Miglioramento, 55 A, 4 Pin, TO-247, Foro passante STW75N65DM6-4

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Opzioni di confezione:
Codice RS:
240-0612
Codice costruttore:
STW75N65DM6-4
Costruttore:
STMicroelectronics
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Marchio

STMicroelectronics

Tipo prodotto

MOSFET

Tipo di canale

N

Massima corrente di scarico continua Id

55A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

30V

Tipo di package

TO-247

Serie

STW

Tipo montaggio

Foro passante

Numero pin

4

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

45mΩ

Modalità canale

Miglioramento

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

20V

Dissipazione di potenza massima Pd

480W

Tensione diretta Vf

1.5V

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

118nC

Minima temperatura operativa

-55°C

Temperatura massima di funzionamento

150°C

Lunghezza

40.92mm

Altezza

5.1mm

Standard/Approvazioni

UL

Larghezza

15.8mm

Standard automobilistico

AEC-Q101

Il MOSFET di potenza a canale N ad alta tensione STMicroelectronics fa parte della serie di diodi a recupero rapido DM6 MDmesh. Rispetto alla generazione rapida MDmesh precedente, il DM6 combina carica di recupero molto bassa (Qrr), tempo di recupero (trr) e eccellente miglioramento di RDS(on) per area con uno dei comportamenti di commutazione più efficaci disponibili sul mercato per le topologie a ponte più impegnative ad alta efficienza e i convertitori a spostamento di fase ZVS.

Diodo corpo a recupero rapido

RDS(on) inferiore per area rispetto alla generazione precedente

Carica gate bassa, capacità di ingresso e resistenza

Testato a valanga al 100%

Estremamente robusto dv/dt

Protezione Zener

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