MOSFET STMicroelectronics, canale Tipo N 650 V, 45 mΩ Miglioramento, 54 A, 3 Pin, TO-247-4, Foro passante STW65N045M9-4

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Opzioni di confezione:
Codice RS:
287-7055
Codice costruttore:
STW65N045M9-4
Costruttore:
STMicroelectronics
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Marchio

STMicroelectronics

Tipo prodotto

MOSFET

Tipo di canale

Tipo N

Massima corrente di scarico continua Id

54A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

650V

Tipo di package

TO-247-4

Serie

STW65N

Tipo montaggio

Foro passante

Numero pin

3

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

45mΩ

Modalità canale

Miglioramento

Minima temperatura operativa

-55°C

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

±30 V

Dissipazione di potenza massima Pd

312W

Tensione diretta Vf

1.5V

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

8nC

Temperatura massima di funzionamento

150°C

Standard/Approvazioni

RoHS

Standard automobilistico

No

Paese di origine:
CN
Il MOSFET di potenza STMicroelectronics si basa sulla più innovativa tecnologia MDmesh M9 a supergiunzione. La tecnologia M9 basata sul silicio beneficia di un processo di produzione a più drenaggi che consente di migliorare la struttura del dispositivo. Il prodotto risultante presenta una resistenza di accensione e valori di carica di gate ridotti, tra tutti i MOSFET di potenza a supergiunzione a commutazione rapida basati sul silicio, rendendolo particolarmente adatto ad applicazioni che richiedono una densità di potenza superiore e un'efficienza eccezionale.

Capacità dv/dt più elevata

Eccellenti prestazioni di commutazione

Facilità di pilotaggio

Testato al 100% contro le valanghe

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