MOSFET STMicroelectronics, canale N 650 V, 45 mΩ Miglioramento, 54 A, 3 Pin, TO-247, Foro passante STWA65N045M9
- Codice RS:
- 151-783
- Codice costruttore:
- STWA65N045M9
- Costruttore:
- STMicroelectronics
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- Codice RS:
- 151-783
- Codice costruttore:
- STWA65N045M9
- Costruttore:
- STMicroelectronics
Specifiche
Documentazione Tecnica
Normative
Dettagli prodotto
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Seleziona tutto | Attributo | Valore |
|---|---|---|
| Marchio | STMicroelectronics | |
| Tipo di canale | N | |
| Tipo prodotto | MOSFET | |
| Massima corrente di scarico continua Id | 54A | |
| Tensione massima della sorgente di scarico Vds | 650V | |
| Serie | MDmesh M9 | |
| Tipo di package | TO-247 | |
| Tipo montaggio | Foro passante | |
| Numero pin | 3 | |
| Resistenza massima della sorgente di scarico Rds | 45mΩ | |
| Modalità canale | Miglioramento | |
| Tensione massima della sorgente del cancello Vgs | 30V | |
| Minima temperatura operativa | -55°C | |
| Carica tipica del gate Qg @ Vgs | 8nC | |
| Tensione diretta Vf | 1.5V | |
| Dissipazione di potenza massima Pd | 312W | |
| Temperatura massima di funzionamento | 150°C | |
| Lunghezza | 20.1mm | |
| Larghezza | 15.9mm | |
| Standard/Approvazioni | No | |
| Standard automobilistico | No | |
| Seleziona tutto | ||
|---|---|---|
Marchio STMicroelectronics | ||
Tipo di canale N | ||
Tipo prodotto MOSFET | ||
Massima corrente di scarico continua Id 54A | ||
Tensione massima della sorgente di scarico Vds 650V | ||
Serie MDmesh M9 | ||
Tipo di package TO-247 | ||
Tipo montaggio Foro passante | ||
Numero pin 3 | ||
Resistenza massima della sorgente di scarico Rds 45mΩ | ||
Modalità canale Miglioramento | ||
Tensione massima della sorgente del cancello Vgs 30V | ||
Minima temperatura operativa -55°C | ||
Carica tipica del gate Qg @ Vgs 8nC | ||
Tensione diretta Vf 1.5V | ||
Dissipazione di potenza massima Pd 312W | ||
Temperatura massima di funzionamento 150°C | ||
Lunghezza 20.1mm | ||
Larghezza 15.9mm | ||
Standard/Approvazioni No | ||
Standard automobilistico No | ||
- Paese di origine:
- CN
Il MOSFET di potenza a canale N di STMicroelectronics è basato sulla più innovativa tecnologia MDmesh M9 a supergiunzione, adatta per MOSFET a media/alta tensione con RDS(on) per area molto basso. La tecnologia M9 a base di silicio beneficia di un processo di fabbricazione multi-drenaggio che consente una struttura del dispositivo migliorata. Il prodotto risultante ha una delle più basse resistenze di accensione e ridotti valori di carica di gate, tra tutti i MOSFET di potenza a supergiunzione a commutazione rapida basati sul silicio, rendendolo particolarmente adatto ad applicazioni che richiedono una densità di potenza superiore e un'efficienza eccezionale
Valutazione VDSS più elevata
Capacità dv/dt più elevata
Eccellenti prestazioni di commutazione
Facile da pilotare
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