MOSFET STMicroelectronics, canale Tipo N 650 V, 45 mΩ Miglioramento, 54 A, 3 Pin, TO-247-4, Foro passante STW65N045M9-4
- Codice RS:
- 287-7053
- Codice costruttore:
- STW65N045M9-4
- Costruttore:
- STMicroelectronics
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- Codice RS:
- 287-7053
- Codice costruttore:
- STW65N045M9-4
- Costruttore:
- STMicroelectronics
Specifiche
Documentazione Tecnica
Normative
Dettagli prodotto
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Seleziona tutto | Attributo | Valore |
|---|---|---|
| Marchio | STMicroelectronics | |
| Tipo di canale | Tipo N | |
| Tipo prodotto | MOSFET | |
| Massima corrente di scarico continua Id | 54A | |
| Tensione massima della sorgente di scarico Vds | 650V | |
| Serie | STW65N | |
| Tipo di package | TO-247-4 | |
| Tipo montaggio | Foro passante | |
| Numero pin | 3 | |
| Resistenza massima della sorgente di scarico Rds | 45mΩ | |
| Modalità canale | Miglioramento | |
| Minima temperatura operativa | -55°C | |
| Dissipazione di potenza massima Pd | 312W | |
| Carica tipica del gate Qg @ Vgs | 8nC | |
| Tensione diretta Vf | 1.5V | |
| Temperatura massima di funzionamento | 150°C | |
| Standard/Approvazioni | RoHS | |
| Standard automobilistico | No | |
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|---|---|---|
Marchio STMicroelectronics | ||
Tipo di canale Tipo N | ||
Tipo prodotto MOSFET | ||
Massima corrente di scarico continua Id 54A | ||
Tensione massima della sorgente di scarico Vds 650V | ||
Serie STW65N | ||
Tipo di package TO-247-4 | ||
Tipo montaggio Foro passante | ||
Numero pin 3 | ||
Resistenza massima della sorgente di scarico Rds 45mΩ | ||
Modalità canale Miglioramento | ||
Minima temperatura operativa -55°C | ||
Dissipazione di potenza massima Pd 312W | ||
Carica tipica del gate Qg @ Vgs 8nC | ||
Tensione diretta Vf 1.5V | ||
Temperatura massima di funzionamento 150°C | ||
Standard/Approvazioni RoHS | ||
Standard automobilistico No | ||
- Paese di origine:
- CN
Il MOSFET di potenza STMicroelectronics si basa sulla più innovativa tecnologia MDmesh M9 a supergiunzione. La tecnologia M9 basata sul silicio beneficia di un processo di produzione a più drenaggi che consente di migliorare la struttura del dispositivo. Il prodotto risultante presenta una resistenza di accensione e valori di carica di gate ridotti, tra tutti i MOSFET di potenza a supergiunzione a commutazione rapida basati sul silicio, rendendolo particolarmente adatto ad applicazioni che richiedono una densità di potenza superiore e un'efficienza eccezionale.
Capacità dv/dt più elevata
Eccellenti prestazioni di commutazione
Facilità di pilotaggio
Testato al 100% contro le valanghe
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