2 MOSFET Nexperia, canale Tipo N, 13.6 mΩ, 42 A 40 V, LFPAK56D, Superficie, 8 Pin

Codice RS:: 240-1820
Codice costruttore:: BUK9V13-40HX
Costruttore:: Nexperia

2 MOSFET Nexperia, canale Tipo N, 13.6 mΩ, 42 A 40 V, LFPAK56D, Superficie, 8 Pin

Prezzo per 1 bobina da 1500 unità*

828,00 €

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Codice RS:: 240-1820
Codice costruttore:: BUK9V13-40HX
Costruttore:: Nexperia

Specifiche

Documentazione Tecnica

Normative

Dettagli prodotto

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Seleziona tutto	Attributo	Valore
	Marchio	Nexperia
	Tipo di canale	Tipo N
	Tipo prodotto	MOSFET
	Massima corrente di scarico continua Id	42A
	Tensione massima della sorgente di scarico Vds	40V
	Tipo di package	LFPAK56D
	Tipo montaggio	Superficie
	Numero pin	8
	Resistenza massima della sorgente di scarico Rds	13.6mΩ
	Dissipazione di potenza massima Pd	46W
	Carica tipica del gate Qg @ Vgs	13.9nC
	Minima temperatura operativa	-55°C
	Tensione massima della sorgente del cancello Vgs	-20 V
	Temperatura massima di funzionamento	175°C
	Standard/Approvazioni	RoHS
	Numero elementi per chip	2
	Standard automobilistico	No

	Seleziona tutto
	Marchio Nexperia
	Tipo di canale Tipo N
	Tipo prodotto MOSFET
	Massima corrente di scarico continua Id 42A
	Tensione massima della sorgente di scarico Vds 40V
	Tipo di package LFPAK56D
	Tipo montaggio Superficie
	Numero pin 8
	Resistenza massima della sorgente di scarico Rds 13.6mΩ
	Dissipazione di potenza massima Pd 46W
	Carica tipica del gate Qg @ Vgs 13.9nC
	Minima temperatura operativa -55°C
	Tensione massima della sorgente del cancello Vgs -20 V
	Temperatura massima di funzionamento 175°C
	Standard/Approvazioni RoHS
	Numero elementi per chip 2
	Standard automobilistico No

Datasheet - BUK9V13-40HX

MOSFET a canale N di livello logico doppio Nexperia in contenitore LFPAK56D (configurazione half-bridge), che impiega la tecnologia Trench 9 MOS. Questo prodotto è stato progettato e qualificato per AEC-Q101.

Contenitore LFPAK56D con configurazione half-bridge abilitata

Minore complessità di layout del circuito stampato

Restringimento del circuito stampato grazie all'ingombro ridotto dei componenti per l'azionamento trifase

Livello di sistema migliorato RTH(j-amb) grazie al design ottimizzato del contenitore

Minore induttanza parassita per supportare una maggiore efficienza

Compatibilità ingombro con contenitore doppio LFPAK56D

Tecnologia al silicio Trench 9 di grado Advanced AEC-Q101

Basse perdite di potenza, elevata densità di potenza

Prestazioni a valanga superiori

Valori a valanga ripetitivi

2 MOSFET Nexperia, canale Tipo N, 13.6 mΩ, 42 A 40 V, LFPAK56D, Superficie, 8 Pin

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