2 MOSFET Nexperia, canale Tipo N, 4.2 mΩ, 98 A 40 V, LFPAK56D, Superficie, 8 Pin BUK7V4R2-40HX

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Opzioni di confezione:
Codice RS:
240-1814
Codice costruttore:
BUK7V4R2-40HX
Costruttore:
Nexperia
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Marchio

Nexperia

Tipo prodotto

MOSFET

Tipo di canale

Tipo N

Massima corrente di scarico continua Id

98A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

40V

Tipo di package

LFPAK56D

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

8

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

4.2mΩ

Minima temperatura operativa

-55°C

Dissipazione di potenza massima Pd

85W

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

20 V

Temperatura massima di funzionamento

175°C

Standard/Approvazioni

RoHS

Numero elementi per chip

2

Standard automobilistico

No

MOSFET a canale N di livello standard doppio Nexperia in contenitore LFPAK56D (configurazione half-bridge), che impiega la tecnologia Trench 9 MOS. Questo prodotto è stato progettato e qualificato per AEC-Q101.

Contenitore LFPAK56D con configurazione half-bridge abilitata

Minore complessità di layout del circuito stampato

Restringimento del circuito stampato grazie all'ingombro ridotto dei componenti per l'azionamento trifase

Livello di sistema migliorato RTH(j-amb) grazie al design ottimizzato del contenitore

Minore induttanza parassita per supportare una maggiore efficienza

Compatibilità ingombro con contenitore doppio LFPAK56D

Tecnologia al silicio Trench 9 di grado Advanced AEC-Q101

Basse perdite di potenza, elevata densità di potenza

Prestazioni a valanga superiori

Valori a valanga ripetitivi

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