2 MOSFET Nexperia, canale Tipo N, 29 mΩ, 18.2 A 40 V, LFPAK56D, Superficie, 8 Pin

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Prezzo per 1 bobina da 1500 unità*

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Codice RS:
240-1818
Codice costruttore:
BUK9K25-40RAX
Costruttore:
Nexperia
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Marchio

Nexperia

Tipo di canale

Tipo N

Tipo prodotto

MOSFET

Massima corrente di scarico continua Id

18.2A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

40V

Tipo di package

LFPAK56D

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

8

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

29mΩ

Minima temperatura operativa

-55°C

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

-15 V

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

6.3nC

Dissipazione di potenza massima Pd

32W

Temperatura massima di funzionamento

175°C

Standard/Approvazioni

RoHS

Numero elementi per chip

2

Standard automobilistico

No

MOSFET a canale N di livello logico doppio Nexperia in contenitore LFPAK56D, che impiega la tecnologia in silicio a valanga ripetitivo Application Specific (ASFET). Questo prodotto è stato progettato e qualificato per l'uso in applicazioni a valanga ripetitive AEC-Q101.

Completamente qualificato per il settore automobilistico secondo AEC-Q101 a 175 °C.

Valori nominali a effetto valanga ripetitivi fino a 30 °C Tj Rise

Testato per eventi a valanga di 1 BN

Tecnologia contenitore a clip in rame LFPAK

Elevata robustezza e affidabilità

Cavi ad ali di gabbiano per un'elevata producibilità e AOI

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