MOSFET Nexperia, canale Tipo N 30 V, 13.6 mΩ, 10.3 A, 4 Pin, LFPAK56E, Superficie

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Codice RS:
240-1971
Codice costruttore:
PSMN1R5-50YLHX
Costruttore:
Nexperia
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Marchio

Nexperia

Tipo prodotto

MOSFET

Tipo di canale

Tipo N

Massima corrente di scarico continua Id

10.3A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

30V

Tipo di package

LFPAK56E

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

4

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

13.6mΩ

Dissipazione di potenza massima Pd

12.5W

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

20 V

Minima temperatura operativa

-55°C

Temperatura massima di funzionamento

150°C

Standard/Approvazioni

No

Standard automobilistico

No

Il MOSFET Nexperia è in contenitore LFPAK56E con corrente continua da 200 Amp, stadio pilota di livello logico e modalità potenziata a canale N. ASFET è particolarmente adatto per applicazioni a batteria da 36 V che richiedono una forte capacità a valanga, modalità lineare per

Telaio conduttore esposto a basse sollecitazioni LFPAK56E per la massima affidabilità, saldatura ottimale e facile ispezione dei giunti a saldare

Clip in rame e collegamento dello stampo di saldatura per bassa induttanza e resistenza del contenitore, e valore nominale ID (max) elevato

Qualificato per l’uso a 175 °C

Con valori nominali a valanga, testato al 100%

QG, QGD e QOSS bassi per un'elevata efficienza, soprattutto a frequenze di commutazione più elevate

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