MOSFET Nexperia, canale Tipo N 30 V, 13.6 mΩ, 10.3 A, 4 Pin, LFPAK56E, Superficie PSMN2R0-55YLHX

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Opzioni di confezione:
Codice RS:
240-1975
Codice costruttore:
PSMN2R0-55YLHX
Costruttore:
Nexperia
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Marchio

Nexperia

Tipo prodotto

MOSFET

Tipo di canale

Tipo N

Massima corrente di scarico continua Id

10.3A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

30V

Tipo di package

LFPAK56E

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

4

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

13.6mΩ

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

20 V

Dissipazione di potenza massima Pd

12.5W

Minima temperatura operativa

-55°C

Temperatura massima di funzionamento

150°C

Standard/Approvazioni

No

Standard automobilistico

No

Il MOSFET in modalità potenziata a canale N Nexperia è in contenitore LFPAK56E. ASFET è particolarmente adatto per le applicazioni a batteria da 36 V che richiedono una forte capacità a valanga, prestazioni in modalità lineare, uso a frequenze di commutazione elevate e anche un sicuro A.

Qualificato per l’uso a 175 °C

Con valori nominali a valanga, testato al 100%

QG, QGD e QOSS bassi per un'elevata efficienza, soprattutto a frequenze di commutazione più elevate

Commutazione superveloce con recupero soft body-diode per basso picco e suoneria, consigliata per progetti a EMI ridotte

Esclusiva tecnologia "SchottkyPlus" per prestazioni di commutazione simili a Schottky e bassa dispersione IDSS

Valore nominale VGS(th) stretto per un facile collegamento in parallelo e una migliore condivisione della corrente

Caratteristiche dell'area di funzionamento sicura/in modalità lineare molto robuste per una commutazione sicura e affidabile in condizioni di corrente elevata

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