MOSFET Nexperia, canale N 30 V, 13.6 mΩ, 10.3 A, 4 Pin, LFPAK56E, Superficie PSMN2R0-55YLHX
- Codice RS:
- 240-1975
- Codice costruttore:
- PSMN2R0-55YLHX
- Costruttore:
- Nexperia
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- Codice RS:
- 240-1975
- Codice costruttore:
- PSMN2R0-55YLHX
- Costruttore:
- Nexperia
Specifiche
Documentazione Tecnica
Normative
Dettagli prodotto
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Seleziona tutto | Attributo | Valore |
|---|---|---|
| Marchio | Nexperia | |
| Tipo prodotto | MOSFET | |
| Tipo di canale | N | |
| Massima corrente di scarico continua Id | 10.3A | |
| Tensione massima della sorgente di scarico Vds | 30V | |
| Tipo di package | LFPAK56E | |
| Tipo montaggio | Superficie | |
| Numero pin | 4 | |
| Resistenza massima della sorgente di scarico Rds | 13.6mΩ | |
| Dissipazione di potenza massima Pd | 12.5W | |
| Tensione massima della sorgente del cancello Vgs | 20V | |
| Minima temperatura operativa | -55°C | |
| Temperatura massima di funzionamento | 150°C | |
| Standard/Approvazioni | No | |
| Standard automobilistico | No | |
| Seleziona tutto | ||
|---|---|---|
Marchio Nexperia | ||
Tipo prodotto MOSFET | ||
Tipo di canale N | ||
Massima corrente di scarico continua Id 10.3A | ||
Tensione massima della sorgente di scarico Vds 30V | ||
Tipo di package LFPAK56E | ||
Tipo montaggio Superficie | ||
Numero pin 4 | ||
Resistenza massima della sorgente di scarico Rds 13.6mΩ | ||
Dissipazione di potenza massima Pd 12.5W | ||
Tensione massima della sorgente del cancello Vgs 20V | ||
Minima temperatura operativa -55°C | ||
Temperatura massima di funzionamento 150°C | ||
Standard/Approvazioni No | ||
Standard automobilistico No | ||
Il MOSFET in modalità potenziata a canale N Nexperia è in contenitore LFPAK56E. ASFET è particolarmente adatto per le applicazioni a batteria da 36 V che richiedono una forte capacità a valanga, prestazioni in modalità lineare, uso a frequenze di commutazione elevate e anche un sicuro A.
Qualificato per l’uso a 175 °C
Con valori nominali a valanga, testato al 100%
QG, QGD e QOSS bassi per un'elevata efficienza, soprattutto a frequenze di commutazione più elevate
Commutazione superveloce con recupero soft body-diode per basso picco e suoneria, consigliata per progetti a EMI ridotte
Esclusiva tecnologia "SchottkyPlus" per prestazioni di commutazione simili a Schottky e bassa dispersione IDSS
Valore nominale VGS(th) stretto per un facile collegamento in parallelo e una migliore condivisione della corrente
Caratteristiche dell'area di funzionamento sicura/in modalità lineare molto robuste per una commutazione sicura e affidabile in condizioni di corrente elevata
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