MOSFET Nexperia 30 V, 13.6 mΩ, 10.3 A, TO-247, Foro passante GAN041-650WSBQ

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Opzioni di confezione:
Codice RS:
243-4620
Codice costruttore:
GAN041-650WSBQ
Costruttore:
Nexperia
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Marchio

Nexperia

Tipo prodotto

MOSFET

Massima corrente di scarico continua Id

10.3A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

30V

Tipo di package

TO-247

Tipo montaggio

Foro passante

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

13.6mΩ

Dissipazione di potenza massima Pd

81W

Minima temperatura operativa

-55°C

Temperatura massima di funzionamento

175°C

Standard/Approvazioni

No

Standard automobilistico

No

Il FET Nexperia al nitruro di gallio (GaN) in contenitore TO-247 è un dispositivo normalmente spento che combina la più recente tecnologia GaN HEMT H2 ad alta tensione e le tecnologie MOSFET al silicio a bassa tensione di Nexperia, offrendo affidabilità e prestazioni superiori.

Carica di recupero inversa ultrabassa

Semplice pilotaggio del gate (da 0 V a +10 V o 12 V)

Ossido del gate robusto (capacità di ±20 V)

Elevata tensione di soglia del gate (+4 V) per un'ottima immunità al rimbalzo del gate

Tensione source-drain molto bassa in modalità di conduzione inversa

Capacità di sovratensione transitoria

Convertitori a commutazione rigida e morbida per l'alimentazione industriale e di telecomunicazioni

PFC a totem senza ponte

Inverter fotovoltaici e UPS

Drive per servomotori

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