MOSFET Nexperia, canale Tipo N 30 V, 13.6 mΩ Miglioramento, 15 A, 8 Pin, MLPAK33, Superficie PXN4R7-30QLJ
- Codice RS:
- 240-1987
- Codice costruttore:
- PXN4R7-30QLJ
- Costruttore:
- Nexperia
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Unità | Per unità | Per confezione* |
|---|---|---|
| 10 - 40 | 0,446 € | 4,46 € |
| 50 - 90 | 0,438 € | 4,38 € |
| 100 - 240 | 0,343 € | 3,43 € |
| 250 - 990 | 0,336 € | 3,36 € |
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*prezzo indicativo
- Codice RS:
- 240-1987
- Codice costruttore:
- PXN4R7-30QLJ
- Costruttore:
- Nexperia
Specifiche
Documentazione Tecnica
Normative
Dettagli prodotto
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Seleziona tutto | Attributo | Valore |
|---|---|---|
| Marchio | Nexperia | |
| Tipo di canale | Tipo N | |
| Tipo prodotto | MOSFET | |
| Massima corrente di scarico continua Id | 15A | |
| Tensione massima della sorgente di scarico Vds | 30V | |
| Tipo di package | MLPAK33 | |
| Tipo montaggio | Superficie | |
| Numero pin | 8 | |
| Resistenza massima della sorgente di scarico Rds | 13.6mΩ | |
| Modalità canale | Miglioramento | |
| Minima temperatura operativa | -55°C | |
| Tensione massima della sorgente del cancello Vgs | 20 V | |
| Dissipazione di potenza massima Pd | 12.5W | |
| Temperatura massima di funzionamento | 150°C | |
| Standard/Approvazioni | No | |
| Standard automobilistico | No | |
| Seleziona tutto | ||
|---|---|---|
Marchio Nexperia | ||
Tipo di canale Tipo N | ||
Tipo prodotto MOSFET | ||
Massima corrente di scarico continua Id 15A | ||
Tensione massima della sorgente di scarico Vds 30V | ||
Tipo di package MLPAK33 | ||
Tipo montaggio Superficie | ||
Numero pin 8 | ||
Resistenza massima della sorgente di scarico Rds 13.6mΩ | ||
Modalità canale Miglioramento | ||
Minima temperatura operativa -55°C | ||
Tensione massima della sorgente del cancello Vgs 20 V | ||
Dissipazione di potenza massima Pd 12.5W | ||
Temperatura massima di funzionamento 150°C | ||
Standard/Approvazioni No | ||
Standard automobilistico No | ||
Transistor a effetto di campo (FET) in modalità potenziata a canale N Nexperia in contenitore in plastica MLPAK33 (SOT8002) con dispositivo a montaggio superficiale (SMD) che impiega la tecnologia MOSFET Trench.
Compatibile a livello logico
Tecnologia MOSFET Trench
Contenitore MLPAK33 (ingombro 3,3 x 3,3 mm)
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