MOSFET Nexperia, canale Tipo P 30 V, 13.6 mΩ Miglioramento, 22.2 A, 8 Pin, MLPAK33, Superficie PXP6R1-30QLJ
- Codice RS:
- 243-4890
- Codice costruttore:
- PXP6R1-30QLJ
- Costruttore:
- Nexperia
Sconto per quantità disponibile
Prezzo per 1 confezione da 10 unità*
9,62 €
(IVA esclusa)
11,74 €
(IVA inclusa)
Consegna GRATUITA per ordini a partire da 60,00 €
Temporaneamente esaurito
- 3000 unità in spedizione dal 17 giugno 2026
Te ne servono di più? Inserisci la nuova quantità e clicca su "Controlla le date di consegna".
Unità | Per unità | Per confezione* |
|---|---|---|
| 10 - 40 | 0,962 € | 9,62 € |
| 50 - 90 | 0,943 € | 9,43 € |
| 100 - 240 | 0,749 € | 7,49 € |
| 250 - 990 | 0,733 € | 7,33 € |
| 1000 + | 0,541 € | 5,41 € |
*prezzo indicativo
- Codice RS:
- 243-4890
- Codice costruttore:
- PXP6R1-30QLJ
- Costruttore:
- Nexperia
Specifiche
Documentazione Tecnica
Normative
Dettagli prodotto
Trova prodotti simili selezionando uno o più attributi.
Seleziona tutto | Attributo | Valore |
|---|---|---|
| Marchio | Nexperia | |
| Tipo di canale | Tipo P | |
| Tipo prodotto | MOSFET | |
| Massima corrente di scarico continua Id | 22.2A | |
| Tensione massima della sorgente di scarico Vds | 30V | |
| Tipo di package | MLPAK33 | |
| Tipo montaggio | Superficie | |
| Numero pin | 8 | |
| Resistenza massima della sorgente di scarico Rds | 13.6mΩ | |
| Modalità canale | Miglioramento | |
| Tensione massima della sorgente del cancello Vgs | 20 V | |
| Minima temperatura operativa | -55°C | |
| Dissipazione di potenza massima Pd | 81W | |
| Temperatura massima di funzionamento | 175°C | |
| Standard/Approvazioni | No | |
| Standard automobilistico | No | |
| Seleziona tutto | ||
|---|---|---|
Marchio Nexperia | ||
Tipo di canale Tipo P | ||
Tipo prodotto MOSFET | ||
Massima corrente di scarico continua Id 22.2A | ||
Tensione massima della sorgente di scarico Vds 30V | ||
Tipo di package MLPAK33 | ||
Tipo montaggio Superficie | ||
Numero pin 8 | ||
Resistenza massima della sorgente di scarico Rds 13.6mΩ | ||
Modalità canale Miglioramento | ||
Tensione massima della sorgente del cancello Vgs 20 V | ||
Minima temperatura operativa -55°C | ||
Dissipazione di potenza massima Pd 81W | ||
Temperatura massima di funzionamento 175°C | ||
Standard/Approvazioni No | ||
Standard automobilistico No | ||
Transistor a effetto di campo (FET) Nexperia a canale P in modalità di potenziamento in un contenitore plastico a montaggio superficiale (SMD) MLPAK33 (SOT8002) con tecnologia MOSFET a trincea.
Bassa tensione di soglia
Tecnologia MOSFET a trincea
Interruttore di carico high-side
Gestione della batteria
Conversione CC/CC
Circuiti di commutazione
Link consigliati
- MOSFET Nexperia 22 MLPAK33, Montaggio superficiale
- MOSFET Nexperia 14 MLPAK33, Montaggio superficiale
- MOSFET Nexperia 17 MLPAK33, Montaggio superficiale
- MOSFET Nexperia 15 A Montaggio superficiale
- MOSFET Nexperia 12 MLPAK33, Montaggio superficiale
- MOSFET Nexperia 10 MLPAK33, Montaggio superficiale
- MOSFET Nexperia 14 A Montaggio superficiale
- MOSFET Nexperia 11 MLPAK33, Montaggio superficiale
