MOSFET Infineon, canale N, 85 A, PQFN 3 x 3, Montaggio superficiale

L'Infineon OptiMOSTM 5 100V PQFN 3,3x3,3 Source-Down ha 100 V e una bassa RDS(on) di 6,5 mOhm. Offre diversi vantaggi, come una maggiore capacità termica, una densità di potenza avanzata o una migliore possibilità di layout. Inoltre, la maggiore efficienza, i minori requisiti di raffreddamento attivo e l'efficace disposizione per la gestione termica sono vantaggi a livello di sistema.

Perdite PCB migliorate
Consentono la massima densità di potenza e prestazioni