MOSFET Infineon, canale Tipo N 40 V, 2.9 mΩ N, 84 A, 3 Pin, TO-220, Superficie IPA80R1K2P7XKSA1

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Opzioni di confezione:
Codice RS:
242-0986
Codice costruttore:
IPA80R1K2P7XKSA1
Costruttore:
Infineon
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Marchio

Infineon

Tipo di canale

Tipo N

Tipo prodotto

MOSFET

Massima corrente di scarico continua Id

84A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

40V

Tipo di package

TO-220

Serie

IPA

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

3

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

2.9mΩ

Modalità canale

N

Minima temperatura operativa

-55°C

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

80nC

Dissipazione di potenza massima Pd

81W

Tensione diretta Vf

1.2V

Temperatura massima di funzionamento

175°C

Standard/Approvazioni

RoHS

Standard automobilistico

No

Il MOSFET a canale N Infineon fornisce una corrente di drenaggio continua massima di 4,5 A e la tensione di sorgente di drenaggio è di 800 V. Si concentra principalmente sulle applicazioni flyback tra cui adattatore e caricabatterie, driver LED, SMPS audio, AUX e alimentazione industriale. La temperatura d'esercizio del MOSFET è compresa tra -55 °C e 150 °C.

Le migliori prestazioni della categoria.

Consente progetti ad alta densità di potenza

Risparmio BOM e costi di assemblaggio ridotti

Facile da azionare e collegare in parallelo

Migliore resa produttiva riducendo i guasti correlati all'ESD

Meno problemi di produzione e minori ritorni sul campo

Facilità di selezione delle parti giuste per la messa a punto dei progetti

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