MOSFET Nexperia, canale N, 98 A, LFPAK56D, Montaggio superficiale

Nexperia Dual, MOSFET a canale N di livello standard in un contenitore LFPAK56D (configurazione half-bridge), con tecnologia Next power S3. Tra la sorgente (S1) del FET high-side e il drain (D2) del FET low-side è presente un collegamento interno che rende il dispositivo ideale per l'utilizzo come interruttore half-bridge in applicazioni PWM ad alte prestazioni e per applicazioni di azionamento di motori con limiti di spazio.

Riduzione della complessità del layout del circuito stampato
Riduzione del modulo grazie al numero ridotto di componenti
Bassa induttanza parassita per supportare una maggiore efficienza
Basse perdite di potenza, alta densità di potenza
Ottime prestazioni a valanga
Classificato per valanghe ripetitive
Il contenitore con clip in rame LFPAK garantisce un'elevata robustezza e affidabilità

Elettroutensili portatili, apparecchi portatili e applicazioni in spazi ristretti
Azionamento di motori CC senza spazzole o spazzolati
Sistemi CC-CC
Illuminazione a LED