2 MOSFET DiodesZetex, canale Tipo N 20 V, U-DFN2030 Miglioramento, 6 Pin

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Codice RS:
246-6788
Codice costruttore:
DMN2014LHAB-13
Costruttore:
DiodesZetex
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Marchio

DiodesZetex

Tipo di canale

Tipo N

Tipo prodotto

MOSFET

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

20V

Tipo di package

U-DFN2030

Numero pin

6

Modalità canale

Miglioramento

Dissipazione di potenza massima Pd

0.8W

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

16nC

Minima temperatura operativa

-55°C

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

±12 V

Tensione diretta Vf

0.75V

Temperatura massima di funzionamento

150°C

Standard/Approvazioni

No

Numero elementi per chip

2

Standard automobilistico

No

Il MOSFET DiodesZetex è progettato per ridurre al minimo la resistenza in stato attivo mantenendo al contempo prestazioni di commutazione eccellenti, il che lo rende ideale per le applicazioni di gestione dell'alimentazione ad alta efficienza. Si tratta di un dispositivo verde e completamente privo di piombo, alogeni e antimonio. Questo MOSFET viene fornito nel contenitore U-DFN2030-6. DiodesZetex realizza un MOSFET in modalità di potenziamento a canale N, progettato per ridurre al minimo la resistenza in stato attivo (RDS(ON)) mantenendo al contempo prestazioni di commutazione superiori, il che lo rende ideale per applicazioni di gestione dell'alimentazione ad alta efficienza. Ha una temperatura d'esercizio compresa tra -55 °C e +150 °C. Offre una bassa capacità di ingresso e una velocità di commutazione rapida.

La tensione massima drenaggio-sorgente è di 20 V e la tensione massima gate-sorgente è di ±16 V. Offre una bassa resistenza in stato attivo e una bassa tensione soglia gate con protezione ESD

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