MOSFET DiodesZetex, canale N, 0.028 Ω, 9 A, U-DFN2030, Montaggio superficiale

Il MOSFET DiodesZetex è progettato per ridurre al minimo la resistenza in stato attivo mantenendo al contempo prestazioni di commutazione eccellenti, il che lo rende ideale per le applicazioni di gestione dell'alimentazione ad alta efficienza. Si tratta di un dispositivo verde e completamente privo di piombo, alogeni e antimonio. Questo MOSFET viene fornito nel contenitore U-DFN2030-6. DiodesZetex realizza un MOSFET in modalità di potenziamento a canale N, progettato per ridurre al minimo la resistenza in stato attivo (RDS(ON)) mantenendo al contempo prestazioni di commutazione superiori, il che lo rende ideale per applicazioni di gestione dell'alimentazione ad alta efficienza. Ha una temperatura d'esercizio compresa tra -55 °C e +150 °C. Offre una bassa capacità di ingresso e una velocità di commutazione rapida.

La tensione massima drenaggio-sorgente è di 20 V e la tensione massima gate-sorgente è di ±16 V. Offre una bassa resistenza in stato attivo e una bassa tensione soglia gate con protezione ESD