2 MOSFET di potenza DiodesZetex Tipo isolato, canale Tipo N, 28 mΩ, 9.3 A 20 V, UDFN, Superficie Miglioramento, 7 Pin

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Opzioni di confezione:
Codice RS:
827-0462
Codice costruttore:
DMN2014LHAB-7
Costruttore:
DiodesZetex
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Marchio

DiodesZetex

Tipo prodotto

MOSFET di potenza

Tipo di canale

Tipo N

Massima corrente di scarico continua Id

9.3A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

20V

Tipo di package

UDFN

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

7

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

28mΩ

Modalità canale

Miglioramento

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

12 V

Minima temperatura operativa

150°C

Dissipazione di potenza massima Pd

1.7W

Tensione diretta Vf

1.2V

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

0.5nC

Temperatura massima di funzionamento

-55°C

Configurazione transistor

Tipo isolato

Standard/Approvazioni

AEC-Q101, UL 94V-0, RoHS, J-STD-020, MIL-STD-202

Lunghezza

3.05mm

Larghezza

2.05 mm

Altezza

0.6mm

Numero elementi per chip

2

Standard automobilistico

AEC-Q101

MOSFET doppio a canale N, Diodes Inc.


Transistor MOSFET, Diodes Inc.


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